NTBL032N065M3S

Name: onsemi NTBL032N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBL032N065M3S
Price: 12074 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

863-NTBL032N065M3S

제조업체 번호:

NTBL032N065M3S

제조업체:

onsemi

설명:

SiC MOSFET SIC MOS TOLL 32MOHM 650V M3S

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

NTBL032N065M3S 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

onsemi NTBL032N065M3S에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 1,828

재고:: 1,828 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 18 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩12,074.2	₩12,074
	₩8,789.2	₩87,892
	₩7,329.2	₩732,920
	₩6,570	₩3,285,000
전체 릴(2000의 배수로 주문)
	₩5,562.6	₩11,125,200

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	H-PSOF-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	55 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	44 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, + 22 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	55 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	227 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	9 ns
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품:	SiC MOSFETS
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	12 ns
시리즈:	NTBL032N065M3S
팩토리 팩 수량:	2000
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	31 ns
표준 턴-온 지연 시간:	8.8 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

NTBL032N065M3S 데이터시트

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

NTBL032N065M3S SiC(탄화 규소) MOSFET

Onsemi NTBL032N065M3S 탄화 규소(SiC) MOSFET은 고속 스위칭 애플리케이션용으로 설계되어 네거티브 게이트 전압 드라이브 및 턴오프 스파이크와 함께 안정적인 성능을 제공합니다. Onsemi NTBL032N065M3S MOSFET은 18 V 게이트 드라이브에 최적화되어 있으며 15 V 드라이브에서도 우수한 성능을 발휘합니다. TOLL 패키지는 켈빈 소스 구성과 감소된 기생 소스 인덕턴스로 열 및 스위칭 성능을 향상시킵니다. 이 장치는 또한 습기 민감도 수준1(MSL1) 표준을 충족합니다.