IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

결과: 26
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설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
자격
포장

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 6 A low loss
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3,710재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 12 A 88 W - 55 C + 175 C STGD6M65DF2 Reel, Cut Tape, MouseReel


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 40 A very high speed
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74재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si D2PAK SMD/SMT Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGB40V60F Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
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990재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate H series 600V 15A HiSpd
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2,210재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 30 W - 55 C + 175 C STGF15H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 30A High Speed Trench Gate IGBT
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1,166재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGW30V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 40A High Speed Trench Gate IGBT
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906재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 60A High Speed Trench Gate IGBT
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1,072재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60DF Tube

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
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747재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
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802재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel

STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed
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344재고 상태
1,000예상 2026-04-02
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 60 A 258 W - 55 C + 175 C STGB30V60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT 600V 20A High Speed Trench Gate IGBT
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1,076재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 2.3 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGP20V60DF Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 40A trench gate field-stop IGBT
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161재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 283 W - 55 C + 175 C STGW40H60DLFB Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 60A trench gate field-stop IGBT
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1,106예상 2026-02-17
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60H65DFB Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 60A Trench Gate 1.8V Vce IGBT
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268재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2.35 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C STGW60V60F Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
데이터시트
406재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 50 A 167 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
데이터시트
496재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 72 A 227 W - 55 C + 175 C STGWA40HP65FB2 Tube
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
데이터시트
292재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20V60F Tube


STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT
데이터시트
290재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-3PF Through Hole Single 650 V 2 V - 20 V, 20 V 80 A 62.5 W - 55 C + 175 C STGFW40H65FB
STMicroelectronics IGBT 600V 20A Hi Spd TrenchGate FieldStop
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 2 V - 20 V, 20 V 40 A 167 W - 55 C + 175 C STGW20H60DF Tube
STMicroelectronics IGBT Automotive-grade trench field-stop 600 V, 60 A very high speed V series IGBT fea
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리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 80 A 375 W - 55 C + 175 C AEC-Q101 Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
데이터시트
리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 375 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics STGB20H65FB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 2,000
배수: 1,000
릴: 1,000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGB20H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a D2PAK package
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

- 20 V, 20 V Reel
STMicroelectronics STGP30H65DFB2
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB2 series IGBT in a TO-220 packag
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 1,000
배수: 1,000

- 20 V, 20 V Tube

STMicroelectronics IGBT Automotive-grade 400 V internally clamped IGBT ESCIS 320 mJ
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 435 V 1.1 V - 12 V, 16 V 25 A 150 W - 55 C + 175 C STGB25N40LZAG AEC-Q101 Reel