NTH4L060N065SC1

Name: onsemi NTH4L060N065SC1
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L060N065SC1
Price: 12322 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NTH4L060N065SC1

제조업체 번호:

NTH4L060N065SC1

제조업체:

onsemi

설명:

SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 44 mohm, 650 V, M2, TO-247-4L

데이터시트:

NTH4L060N065SC1 데이터시트

ECAD 모델:

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	₩9,066.6	₩90,666
	₩8,818.4	₩881,840
	₩8,511.8	₩3,830,310
	₩8,482.6	₩7,634,340
2,700	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	33 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	70 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 18 V, + 18 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.3 V
Qg - 게이트 전하:	74 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	88 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	EliteSiC
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	11 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	12 S
포장:	Tube
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	14 ns
시리즈:	NTH4L060N065SC1
팩토리 팩 수량:	450
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
표준 턴-오프 지연 시간:	24 ns
표준 턴-온 지연 시간:	11 ns

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NTH4L060N065SC1 데이터시트

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NTH4L060N065SC1 SiC(탄화 규소) MOSFET

Onsemi NTH4L060N065SC1 SiC(탄화 규소) MOSFET은 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰도를 제공합니다. MOSFET는 낮은 온 상태 저항을 가지고 콤팩트한 칩 크기는 저정전용량과 게이트 전하를 보장합니다. 따라서 시스템 이점으로는 최고의 효율성, 더 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI, 감소된 시스템입니다.

M2 EliteSiC MOSFET

Onsemi M2 EliteSiC MOSFET은 650V, 750V 및 1200V의 전압 옵션을 특징으로 합니다. onsemi M2 MOSFET은 D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD 및 TO-247-4LD 등 다양한 패키지로 제공됩니다. MOSFET은 설계 및 구현 유연성을 제공합니다. 또한 M2 EliteSiC MOSFET은 +22V/-8V의 최대 게이트-소스 전압, 낮은 R_DS(on) 및 높은 SCWT(단락 내성 시간)을 자랑합니다.

650V SiC(탄화 규소) MOSFET

onsemi 650V SiC(탄화 규소) MOSFET은 Si(규소)에 비해 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 650V SiC MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 낮은 정전용량 및 게이트 전하를 보장하는 콤팩트한 칩 크기가 특징입니다. 장점에 대한 예로는 고효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다.

게이트 드라이버와 EliteSiC MOSFET 페어링

EV 충전, 에너지 저장, UPS (무정전 전원 시스템) 및 태양광과 같은 에너지 인프라 애플리케이션은 시스템 전력 레벨을 수백 킬로와트 및 메가와트로 추진하고 있습니다. 이 고전력 애플리케이션은 인버터 및 BLDC를 위해 최대 6개의 스위치까지 하프 브리지, 풀 브리지 및 3-phase 토폴로지 듀티 사이클을 사용합니다. 전력 레벨 및 스위칭 속도에 따라 시스템 설계자는 애플리케이션 요구 사항에 가장 적합한 실리콘, IGBT 및 SiC를 포함한 다양한 스위치 기술을 찾고 있습니다.