SCT3x 3세대 SiC Trench MOSFET

ROHM Semiconductor®의 SCT3x 계열 SiC Trench MOSFET은 독자적인 트렌치 게이트 구조가 적용되어 온 상태 저항이 50% 감소했으며 평면 형태의 SiC MOSFET보다 입력 정전용량이 35% 감소했습니다. 그 결과 스위칭 손실은 크게 감소한 반면 스위칭 속도가 빨라져 작동 효율이 개선되었고 다양한 장비에서 전력 손실이 감소했습니다. 이 제품군에는 650V 및 1,200V 버전이 포함되어 다양한 분야에 사용할 수 있습니다.

결과: 31
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
데이터시트
5재고 상태
450예상 2026-03-12
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
데이터시트
92재고 상태
450예상 2026-05-20
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 17A 160mOhm TrenchMOS
데이터시트
24재고 상태
1,350주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
데이터시트
1,197주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
450예상 2026-07-23
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
데이터시트
제품 코멘트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 450
배수: 450

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101