Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

결과: 49
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
기술
Renesas Electronics GaN FET 700V, 240mohm GaN FET in DPAK
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 ns - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8 A 312 mOhms 20 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W Enhancement SuperGan GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

700 V SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in DPAK
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

SMD/SMT TO-252-3L N-Channel 1 Channel 700 V 5 A 560 mOhms 20 V 2.5 V 5.2 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhanecement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 312 mOhms 20 V 2 V 12.7 nC - 55 C + 150 C 31.5 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 85mohm GaN FET in TOLL 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 180 mOhms 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN GaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in TO220
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 700 V 312 mOhms 12 V 2.5 V 5.4 nC - 55 C + 150 C 31.2 W SuperGaN GaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSGB-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN IP 비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H070G4LSGBA-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN 비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H030G4PYS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-4L 비재고 리드 타임 18 주
최소: 960
배수: 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PQS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PRS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLT 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,300
배수: 1,300
: 1,300

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PWS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-3L 비재고 리드 타임 18 주
최소: 960
배수: 240

TO-247-3L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H050G4PYS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L 비재고 리드 타임 18 주
최소: 960
배수: 240

TO-247-4L 650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PLSG-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in 8x8 PQFN PP 비재고 리드 타임 18 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PPS
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in TO-220 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,250
배수: 1,250

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PQS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in TOLL 비재고 리드 타임 18 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

650 V SuperGaN
Renesas Electronics TP65H065G4PRS-TR
Renesas Electronics GaN FET 650V, 65mohm GaN FET in TOLT 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,300
배수: 1,300
: 1,300

650 V SuperGaN