Gen IV SuperGaN® FETs

Renesas Electronics Gen IV SuperGaN® FETs are normally off devices enabling AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs. These FETs feature a high voltage GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a low voltage silicon MOSFET and offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN platform has advanced epi and patented design technologies that simplify manufacturability. This design technology improves efficiency over silicon with a low gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Renesas Electronics Gen IV FETs are available in a variety of options for datacom, computing, lighting, automotive, and other applications.

결과: 30
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLL
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351재고 상태
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최소: 1
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릴: 2,000

SMD/SMT TOLL-10 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms 4.8 V 24.5 nC - 55C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TO247-3L
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798재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 30mohm GaN FET in TOLT
데이터시트
1,428재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 55.7 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 24.5 nC - 55 C + 150 C 192 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in TO220
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850재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 3.65 V 14.4 nC - 55 C + 150 C 65.8 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TO247-4L
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611재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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2,674재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
2,518재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.6 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TO220
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1,226재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.7 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLT
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1,696재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 1,300

SMD/SMT TOLT-16 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 85 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
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3,773재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 4,000

SMD/SMT QFN-7 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 10 V, + 10 V 2.8 V 5 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in TO220
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856재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 180 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8 nC - 55 C + 150 C 52 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
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1,685재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 4,000

SMD/SMT PQFN-3 N-Channel 1 Channel 650 V 3.6 A 560 mOhms - 18 V, + 18 V 2.8 V 9 nC - 55 C + 150 C 13.2 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 35mohm GaN FET in TO247-4L
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비재고 리드 타임 26 주
최소: 1,200
배수: 1,200

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 46.5 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 3.6 V 42.7 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 50mohm GaN FET in TOLL
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 16 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

PQFN-8 650 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 70mohm GaN FET in TOLL
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비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
릴: 2,000

SMD/SMT TOLL-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 60 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 8.4 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 100mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 18.9 A 110 mOhms - 20 V, + 20 V 4.1 V 14.4 nC - 55 C + 150 C Enhancement SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
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비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 5x6 PQFN
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최소: 5,000
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릴: 5,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 300mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
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최소: 1
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릴: 3,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
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비재고 리드 타임 14 주
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배수: 5,000
릴: 5,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 700V, 480mohm GaN FET in 5x6 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 5,000
배수: 5,000
릴: 5,000

700 V SuperGaN
Renesas Electronics GaN FET 650V, 150mohm GaN FET in 8x8 PQFN
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

SMD/SMT PQFN-8 N-Channel 1 Channel 650 V 14.2 A 180 mOhms 20 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 62.5 W Enhancement SuperGaN