SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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부품 번호

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R008M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩54,826.4
1,073재고 상태
1,000예상 2026-10-15

제조업체 부품 번호
IMBG120R008M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R008M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,073재고 상태

1,000예상 2026-10-15

컷 테이프

₩54,826.4

₩41,161.6

릴

₩41,161.6

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1
최대: 10

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

189 A

7.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

195 nC

- 55 C

+ 175 C

800 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R017M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩29,244.8
3,317재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R017M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R017M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

3,317재고 상태

컷 테이프

₩29,244.8

₩20,839.2

₩18,574.4

₩18,346.4

릴

₩17,358.4

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

107 A

17.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

89 nC

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+ 175 C

470 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R012M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩39,580.8
710재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R012M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R012M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

710재고 상태

컷 테이프

₩39,580.8

₩28,697.6

₩27,314.4

₩26,706.4

릴

₩25,277.6

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

144 A

12.2 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

124 nC

- 55 C

+ 175 C

600 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R022M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩24,593.6
386재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R022M2HXTMA1

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726-IMBG120R022M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

386재고 상태

컷 테이프

₩24,593.6

₩17,343.2

₩14,865.6

릴

₩14,060

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

87 A

21.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

71 nC

- 55 C

+ 175 C

385 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R026M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩21,082.4
1,673재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R026M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R026M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,673재고 상태

컷 테이프

₩21,082.4

₩14,744

릴

₩14,744

최소: 1
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최대: 60

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

75 A

25.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

335 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R040M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩16,461.6
316재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R040M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R040M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

316재고 상태

컷 테이프

₩16,461.6

₩11,354.4

₩8,816

릴

₩8,344.8

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

52 A

39.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

8.1 nC

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+ 175 C

250 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R078M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩11,947.2
841재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R078M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R078M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

841재고 상태

컷 테이프

₩11,947.2

₩8,101.6

₩5,912.8

₩5,776

릴

₩5,456.8

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

29 A

78.1 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

20.6 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R116M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩10,290.4
649재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R116M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R116M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

649재고 상태

컷 테이프

₩10,290.4

₩6,642.4

₩5,000.8

₩4,727.2

릴

₩4,468.8

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배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

21.2 A

115.7 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

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- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R181M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩8,785.6
1,817재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R181M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R181M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,817재고 상태

컷 테이프

₩8,785.6

₩5,867.2

₩4,195.2

₩3,830.4

릴

₩3,617.6

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

14.9 A

181.4 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

9.7 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R234M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩7,934.4
6,769재고 상태

제조업체 부품 번호
IMBG120R234M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R234M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic 1200v g2 mosfets 에 대해

데이터시트

6,769재고 상태

컷 테이프

₩7,934.4

₩5,274.4

₩3,754.4

₩3,344

릴

₩3,328.8

₩3,146.4

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

8.1 A

233.9 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

7.9 nC

- 55 C

+ 175 C

80 W

Enhancement

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

IMBG120R053M2HXTMA1
Infineon Technologies
1: ₩13,710.4
1,968예상 2026-07-09

제조업체 부품 번호
IMBG120R053M2HXTMA1

Mouser 부품 번호
726-IMBG120R053M2HXT

Infineon Technologies

SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 1200 V G2 in TO-263-7 package

Infineon Technologies infineon coolsic g2 mosfets 에 대해

데이터시트

1,968예상 2026-07-09

컷 테이프

₩13,710.4

₩9,363.2

₩6,931.2

릴

₩6,551.2

MouseReel 사용가능

최소: 1
배수: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

1.2 kV

41 A

52.6 mOhms

- 7 V, + 20 V

5.1 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

205 W

Enhancement

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