SiT1602 Low-Power Standard Frequency Oscillators

SiTime SiT1602 and SiT1602B Low-Power Standard Frequency Oscillators offer a programmable drive strength feature to provide a simple, flexible tool to optimize the clock rise/fall time for specific applications. The programmable drive strength improves system radiated electromagnetic interference (EMI) by slowing down the clock rise/fall time. The programmable drive strength also improves the downstream clock receiver’s (RX) jitter by decreasing (speeding up) the clock rise/fall time. The components have the ability to drive large capacitive loads while maintaining full swing with sharp edge rates. The oscillators exhibit EMI reduction by slowing rise/fall time and jitter reduction with faster rise/fall time. SiTime SiT1602 and SiT1602B oscillators can support up to 60pF or higher in maximum capacitive loads with drive strength settings.

결과: 74
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SiTime MEMS 발진기 26MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 310재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 26 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 4.1 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 48MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 25재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 48 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B


SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V -40C +85C 98재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

50 MHz 25 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 45 C + 85 C SiT1602B


SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 995재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

7 mm x 5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 613재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 24MHz 50ppm 1.8V -40C +85C 65재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

24 MHz 50 PPM 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.1 mA - 45 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 12MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 1,012재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 12 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 50MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 772재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 50 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V -40C +85C 590재고 상태
500예상 2026-04-30
최소: 1
배수: 1
: 250

25 MHz 50 PPM 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 45 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 33.33333MHz 3.3V -20 to 70C 50ppm 70재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 752재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

3.2 mm x 2.5 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 33.33333MHz +/-50ppm 1.8V -40C +85C 61재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 33.33333 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime SiT1602BI-12-33E-25.000000E
SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3V 25ppm -40C +85C 1,397재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 20MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 814재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 20 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B

SiTime MEMS 발진기 24MHz 1.8V 25ppm -40C +85C 783재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 25 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 33MHz +/-50ppm 3.3V -20 to70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

7 mm x 5 mm 33 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 1.8V 25MHz -20 to 70C 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

2.5 mm x 2 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 25MHz 50ppm 3.3V -20 to 70C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

7 mm x 5 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 48MHz 25ppm 3.3V -40 to +85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

2 mm x 1.6 mm 48 MHz 25 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 25MHz 3.3Volt 50ppm -40C to 85C 비재고 리드 타임 6 주
최소: 250
배수: 250
: 250

2 mm x 1.6 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 24MHz 1.8V -20 to 70C 50ppm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS, HCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602B
SiTime MEMS 발진기 1.8V 24MHz -20 to 70C 50ppm 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2.5 mm x 2 mm 24 MHz 50 PPM 15 pF 1.62 V 1.98 V LVCMOS 3.9 mA - 20 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 24.576MHz +/-50ppm 3.3V -20 to70C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

7 mm x 5 mm 24.576 MHz 50 PPM 15 pF 2.97 V 3.63 V LVCMOS 4.5 mA - 20 C + 70 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 25MHz 2.5Volt 50ppm -40C to 85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

2 mm x 1.6 mm 25 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C SiT1602A
SiTime MEMS 발진기 33.3333MHz 2.5V 50ppm -40C +85C 재고 없음
최소: 1
배수: 1
: 250

3.2 mm x 2.5 mm 33.3333 MHz 50 PPM 15 pF 2.25 V 2.75 V LVCMOS 4.2 mA - 40 C + 85 C SiT1602A