1 200 V 탄화규소 전력 MOSFET

Wolfspeed   1 200 V 탄화규소 전력 MOSFET은 성능, 견고성 및 설계 용이성에 대한 표준을 설정합니다. Wolfspeed MOSFET은 빠른 스위칭 및 낮은 스위칭 손실 성능이 특징으로, 실리콘 MOSFET 및 IGBT 시대에 비해 시스템 효율, 전력 밀도 및 전체 BOM 비용을 상당히 개선할 수 있습니다.

결과: 24
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 243재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 248 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 169 nC - 40 C + 175 C 500 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET 1,613재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 4 V, + 15 V 1.8 V 160 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4, 175C capable, Industrial 762재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 53 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-263-7, Industrial 1,014재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL, Industrial 691재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET 342재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 114 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 21mOHMS G3 SiC MOSFET 892재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.8 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 162 nC - 40 C + 175 C 469 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7XL T&R, Industrial 694재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 53.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 94 nC - 40 C + 150 C 272 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 167재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 610재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 108 nC - 40 C + 175 C 341 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 428재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 488재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 64 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 91 nC - 40 C + 175 C 294 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-263-7 XL T&R, Industrial 687재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 150 C 172 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 153재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 254재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial 386재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mohm, 1200V, TO-247-3, 175C capable, Industrial 477재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 90 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 54 nC - 40 C + 175 C 136 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-247-3, Industrial 3,538재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.6 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 19 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mohm, 1200V, TO-247-4, Industrial 673재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 40 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 99 nC - 40 C + 175 C 326 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mohm, 1200V, TO-247-3, Industrial 1,228재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17 A 160 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 38 nC - 55 C + 150 C 97 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mohm, 1200V, TO-263-7 XL, Industrial 146재고 상태
1,000예상 2026-03-02
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 111 nC - 40 C + 175 C 277 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial 155재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 7.2 A 455 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 13 nC - 55 C + 150 C 40.8 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
880주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
894주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 63 A 32 mOhms - 4 V, + 15 V 3.6 V 118 nC - 40 C + 175 C 283 W Enhancement