SCT4018KW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT4018KW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT4018KW7TL
Price: 43143 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

755-SCT4018KW7TL

제조업체 번호:

SCT4018KW7TL

제조업체:

ROHM Semiconductor

설명:

SiC MOSFET TO263 1.2KV 75A N-CH SIC

데이터시트:

SCT4018KW7TL 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

ROHM Semiconductor SCT4018KW7TL에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 1,175

재고:: 1,175 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 27 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

1175을(를) 초과하는 수량에 대해서는 최소 주문 요구사항이 적용됩니다.

이 제품은 리드 타임이 깁니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(1000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩43,143	₩43,143
	₩38,339.6	₩383,396
	₩33,536.2	₩3,353,620
전체 릴(1000의 배수로 주문)
	₩30,601.6	₩30,601,600
2,000	견적

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	ROHM Semiconductor
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-263-7
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	75 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	23.4 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 4 V, + 21 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.8 V
Qg - 게이트 전하:	170 nC
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	267 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	ROHM Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	11 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	22 S
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
제품:	MOSFET's
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	21 ns
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	50 ns
표준 턴-온 지연 시간:	13 ns
부품번호 별칭:	SCT4018KW7

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SCT4018KW7TL 데이터시트

Specification Sheets

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

SCT4018KW7 N-채널 SiC 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor SCT4018KW7 N-채널 SiC 전력 MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. SHT4018KW7은 간편하게 구동하고 병렬로 쉽게 연결할 수 있습니다.이 장치는 무연 도금이 특징이며 RoHS 규격을 준수합니다. ROHM Semiconductor SCT4018KW7 N-채널 SiC 전력 MOSFET은 태양광 인버터, 유도 가열, 스위치 모드 전원 공급 장치, DC/DC 컨버터 및 모터 드라이브에 적합합니다.

4세대 N채널 SiC 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor 4세대 N-채널 SiC(실리콘 카바이드) 전력 MOSFET은 단락 저항 시간을 개선하여 낮은 온 저항을 제공합니다. 4세대 SiC MOSFET은 병렬 연결이 용이하고 구동이 간단합니다. 이 MOSFET은 빠른 스위칭 속도/역방향 회복, 낮은 스위칭 손실, +175°C의 최대 작동 온도가 특징입니다. ROHM의 4세대 N-채널 SSiC 전력 MOSFET은 장치의 전력 절감에 기여하는 15V 게이트-소스 전압을 지원합니다.