DSC63 MEMS 발진기

Microchip DSC63 MEMS 발진기는 확산 스펙트럼을 제공하는 초소형, 초저전력 마이크로전자기계 시스템 발진기입니다. DSC63 MEMS 발진기는 최대 ±2.5% 또는 -3%의 확산 스펙트럼을 지원하며 기본 주파수에서 최대 15dB까지 EMI(전자기 간섭)를 줄일 수 있습니다(고조파에서는 더 많이 줄일 수 있음).

결과: 59
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 유형 패키지/케이스 주파수 주파수 안정성 부하 용량 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 출력 형식 확산 유형 확산 허용 오차 종단 스타일 최저 작동온도 최고 작동온도 길이 너비 높이 포장
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 560
배수: 140

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 27 MHz 25 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 85 C 2.5 mm 2 mm 0.89 mm Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 54MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 560
배수: 140

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 54 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 125 C 2.5 mm 2 mm 0.89 mm Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 560
배수: 140

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 27 MHz 25 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 105 C 2.5 mm 2 mm 0.89 mm Tube
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 600
배수: 100

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 27 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 105 C 2 mm 1.6 mm 0.89 mm
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 Center Spread 2.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 Center Spread 2.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 72.5MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 72.5 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 105 C 1.6 mm 1.2 mm 0.89 mm Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 20MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 Center Spread 2.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 54MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 54 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 125 C 2.5 mm 2 mm 0.89 mm Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 54MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 1 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Down Spread - 0.25 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Down Spread - 0.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Down Spread - 1 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 12MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -20 to 70C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 12 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 2 % SMD/SMT - 20 C + 70 C 2.5 mm 2 mm 0.89 mm Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 24MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 2 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 85C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Down Spread - 1 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 25PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.5 x 2.0mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VLGA-4 Center Spread 0.5 % Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 25MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 25 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 125 C 2 mm 1.6 mm 0.89 mm Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 27 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 125 C 2 mm 1.6 mm 0.89 mm Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 27MHz, 50PPM, 1.8-3.3V, -40 to 105C, 2.0 x 1.6mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 27 MHz 50 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 105 C 2 mm 1.6 mm 0.89 mm Reel
Microchip Technology SSXO 발진기 MEMS OSC, LVCMOS, 2.4576MHz, 20PPM, 1.8-3.3V, -40 to 125C, 1.6 x 1.2mm 비재고 리드 타임 4 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SSXO, MEMS Based VFLGA-4 2.4576 MHz 20 PPM 15 pF 1.71 V 3.63 V LVCMOS Center Spread 0.25 % SMD/SMT - 40 C + 125 C 1.6 mm 1.2 mm 0.89 mm Reel