SH63N65DM6AG

STMicroelectronics
511-SH63N65DM6AG
SH63N65DM6AG

제조업체:

설명:
MOSFET Automotive-grade N-channel 650V, 56 mOhm typ., 53 A MDmesh DM6 Power MOSFET

ECAD 모델:
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수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩32,061.6 ₩32,062
₩25,389.4 ₩253,894
₩18,396 ₩1,839,600
전체 릴(200의 배수로 주문)
₩18,396 ₩3,679,200
₩15,330 ₩6,132,000
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제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
ACEPACK SMIT-9
N-Channel
2 Channel
650 V
53 A
64 mOhms
- 25 V, 25 V
4.75 V
80 nC
- 55 C
+ 150 C
424 W
Enhancement
AQG 324
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: STMicroelectronics
구성: Dual
하강 시간: 8 ns
습도에 민감: Yes
제품 유형: MOSFETs
상승 시간: 8 ns
팩토리 팩 수량: 200
하위 범주: Transistors
표준 턴-오프 지연 시간: 68 ns
표준 턴-온 지연 시간: 28 ns
단위 중량: 8.200 g
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속성 선택됨: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SH63N65DM6AG 전력 MOSFET

STMicroelectronics SH63N65DM6AG 전력 MOSFET은 650V 차단 전압을 제공하는 자동차 등급 N채널 MDmesh DM6 하프 브리지 토폴로지 전력 MOSFET입니다.  이 전력 MOSFET은 AQG 324 인증을 받았으며 ACEPACK SMIT   저 인덕턴스 패키지로 제공됩니다. SH63N65DM6AG 전력 MOSFET은 매우 낮은 스위칭 에너지, 낮은 열 저항 및 3.4kVrms/min 절연 정격이 특징입니다. 이 전력 MOSFET에는 다이스온 DBC(직접 결합 구리) 기판이 있어 패키지가 절연된 상단 열 패드와 결합되어 낮은 열 저항을 제공하는 데 도움이 됩니다.   SH63N65DM6AG MOSFET은 높은 설계 유연성을 갖춘 패키지로 제공되어 내부 전원 스위치의 다양한 조합을 통해 위상 레그, 부스트 및 단일 스위치를 포함한 여러 구성을 지원합니다. 이 전력 MOSFET은 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다.