Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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결과: 51
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설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
149재고 상태
2,500예상 2026-09-07
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
데이터시트
131재고 상태
100예상 2027-03-23
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
데이터시트
471예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
데이터시트
551예상 2027-01-20
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
480예상 2026-08-18
최소: 1
배수: 1

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
데이터시트
956주문 중
최소: 1
배수: 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
200예상 2027-03-19
최소: 1
배수: 1

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,4M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
데이터시트
재고 없음
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,1.7v-1.95v,48 Ball BGA (6x8mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 480
배수: 480

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,70ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 480
배수: 480

ISSI IS66WV1M16EBLL-55BLI-TR
ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Async,1M x 16,55ns,2.5v-3.6v,48 Ball BGA, RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE2M16TCLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 480
배수: 480

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,55ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI-TR
ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
ISSI IS66WVC2M16EALL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5,2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 24 주
최소: 480
배수: 480