Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

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결과: 51
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설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS
ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 419재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 7

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
88재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1

ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM
데이터시트
539재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 5

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
최대: 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
데이터시트
2,170재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 127


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
1,611재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 2
릴: 1,000

ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns A-Temp
데이터시트
285재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 12

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
310재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI IS66WVE4M16EALL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM Asynch/Pg 4Mx16 55ns
데이터시트
867재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 6

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
데이터시트
1,733재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 28

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
480재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
308재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 16

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
885재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 37

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
656재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 121

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
1,887재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
827재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 353

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
174재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 13

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
467재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 32

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
148재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 24

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
159재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 15

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
4,821재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 491
릴: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
1,601재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 719

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
4,274재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 1,465
릴: 2,500

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
데이터시트
3,104재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
최대: 38
릴: 2,500