N채널 PowerMESH 파워 MOSFET

STMicroelectronics N채널 PowerMESH 파워 MOSFET은 STMicroelectronics 통합 스트립 레이아웃 기반의 MESH OVERLAY™ 공정으로 설계되었습니다. 이 공정 덕분에 탁월한 성능의 첨단 고전압 전력 MOSFET 제품군이 제작되었습니다. 강화된 레이아웃은 고유의 에지 종단 구조와 함께 면적당 최저 RDS(on) 및 비교를 불허하는 게이트 충전 및 스위칭 특성을 제공합니다.
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결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
STMicroelectronics MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
데이터시트
5,530재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT H2PAK-2 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement PowerMESH Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH
데이터시트
3,373재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 2.5 A 9 Ohms - 20 V, 20 V 3 V 29.3 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH
데이터시트
1,361재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET PowerMESH MOSFET
데이터시트
3,000예상 2026-07-09
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package
데이터시트
841재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PF-3 N-Channel 1 Channel 1.7 kV 2.6 A 13 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1500 V PowerMesh
데이터시트
1,959재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.5 kV 4 A 7 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 30 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement PowerMESH Tube