브라우저에서 자바스크립트를 사용하지 않도록 설정한 것으로 보입니다. 로그인하지 않으면 이 페이지의 일부 기능이 작동하지 않습니다.

STFW4N150

Name: STMicroelectronics STFW4N150
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STFW4N150
Price: 9486 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

511-STFW4N150

제조업체 번호:

STFW4N150

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

설계 완성하기

데이터시트:

STFW4N150 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

STMicroelectronics STFW4N150에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 354

재고:: 354 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 14 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩9,486.8	₩9,487
	₩7,266.8	₩72,668
	₩5,875.6	₩587,560
	₩5,224.4	₩3,134,640
	₩4,469.6	₩5,363,520

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-3PF-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.5 kV
Id - 연속 드레인 전류:	4 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	7 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
Qg - 게이트 전하:	50 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	63 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	PowerMESH
포장:	Tube
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
제품 유형:	MOSFETs
시리즈:	STFW4N150
팩토리 팩 수량:	300
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
단위 중량:	7 g

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

STFW4N150 데이터시트 (PDF)

PCN

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N채널 PowerMESH 파워 MOSFET

STMicroelectronics N채널 PowerMESH 파워 MOSFET은 STMicroelectronics 통합 스트립 레이아웃 기반의 MESH OVERLAY™ 공정으로 설계되었습니다. 이 공정 덕분에 탁월한 성능의 첨단 고전압 전력 MOSFET 제품군이 제작되었습니다. 강화된 레이아웃은 고유의 에지 종단 구조와 함께 면적당 최저 R_DS(on) 및 비교를 불허하는 게이트 충전 및 스위칭 특성을 제공합니다.
자세히 알아보기