NVBG022N120M3S SiC(탄화 규소) MOSFET

Onsemi NVBG022N120M3S SiC(탄화 규소) MOSFET은 빠른 스위칭 애플리케이션에 맞게 최적화된 1,200V M3S 평면 SiC MOSFET입니다. onsemi NVBG022N120M3S는 네거티브 게이트 전압 드라이브와 함께 안정적으로 작동하고 게이트에서 스파이크를 차단하는 평면 기술이 특징입니다. 이 제품군은 18V 게이트 드라이브로 구동할 때 최적의 성능을 발휘하지만 15V 게이트 드라이브와도 작동합니다. 이러한 MOSFET의 일반적인 애플리케이션으로는 전기 자동차(EV) 및 하이브리드 자동차(HEV)용 온보드 충전기(OBC) 및 DC/DC 컨버터가 있습니다.

결과: 3
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
onsemi SiC MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, D2PAK-7L
데이터시트
818재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 58 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 4.4 V 20 nC - 55 C + 175 C 234 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V M3
데이터시트
240재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 40.5 mOhms - 8 V, + 22 V 3.22 V 74.5 nC - 55 C + 175 C 297 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM M3S 1200V
데이터시트
800예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
릴: 800

SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 30 mOhms - 10 V, 22 V 4.4 V 142 nC - 55 C + 175 C 441 W Enhancement