OptiMOS™ PD(Power Delivery) MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™ PD(Power Delivery) MOSFET은 짧은 리드 및 빠른 견적 응답 시간을 지원하는 USB-PD 및 고속 충전기 설계에 이상적입니다. PQFN 3.3 mm x 3.3 mm 및 SuperSO8 패키지로 제공되는 로직 레벨 MOSFET은 충전기 및 어댑터 25 V~150 V SMPS 애플리케이션의 동기식 정류에 맞게 최적화되었습니다. 로직 레벨 드라이브는 낮은 게이트 임계 전압(VGS(th))을 제공하여 4.5 V에서 또는 저전압 및 중간 전압 MOSFET을 마이크로컨트롤러에서 직접 구동하여 애플리케이션에서 구성 요소 수를 줄입니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V
데이터시트
8,119재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 80 V 64 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 11 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
데이터시트
1,881재고 상태
5,000예상 2026-10-08
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 86 A 4.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 15 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V
데이터시트
655재고 상태
25,000주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 60 V 56 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 8.7 nC - 55 C + 175 C 44 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS
데이터시트
10,005주문 중
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 100 A 2.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 30 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 29 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 100 V 71 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 13 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel