1200V SiC MOSFET

Microchip Technology 1200V SiC MOSFET은 더 가볍고 컴팩트한 솔루션으로 높은 효율을 제공합니다. 이 장치는 낮은 내부 게이트 저항(ESR)을 제공하여 스위칭 속도가 빠릅니다. MOSFET은 구동이 간단하고 병렬 연결이 쉬우며 열 성능이 향상되고 스위칭 손실이 적습니다.

결과: 8
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
데이터시트
25재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97 A 24 mOhms - 10 V, 21 V 3 V 136 nC - 55 C + 175 C 416 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
데이터시트
59재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 81 A 33 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 109 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 30 mOhm TO-247-4 Notch
데이터시트
115재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 40 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 91 nC - 55 C + 175 C 310 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 40 mOhm TO-247-4 Notch
데이터시트
105재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 53 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 69 nC - 55 C + 175 C 256 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 45 mOhm TO-247-4 Notch
데이터시트
120재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 49 A 60 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 61 nC - 55 C + 175 C 237 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 60 mOhm TO-247-4 Notch
데이터시트
117재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 80 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 45 nC - 55 C + 175 C 192 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 80 mOhm TO-247-4 Notch
데이터시트
73재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 107 mOhms - 10 V, + 21 V 5 V 34 nC - 55 C + 175 C 161 W Enhancement
Microchip Technology SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 31 mOhm TO-247-4 Notch
데이터시트
비재고 리드 타임 6 주
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72 A 42 mOhms - 10 V, 21 V 5 V 70 nC - 55 C + 175 C 326 W Enhancement