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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies IPP020N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 비재고 리드 타임 13 주
최소: 500
배수: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 178 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPP023N08N5XKSA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 비재고 리드 타임 14 주
최소: 500
배수: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 80 V 120 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 133 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube