CFD7 CoolMOS™ MOSFET

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ CFD7 MOSFET는 공진 고전력 토폴로지에 이상적이고 전압 초접합 MOSFET 기술을 사용합니다. 이 MOSFET은 고속 바디 다이오드가 있는 장치로서, CoolMOS 7 시리즈를 완성해줍니다. 일반적인 고전력 SMPS 애플리케이션으로는 서버, 텔레콤 및 EV 충전소가 포함됩니다.

결과: 78
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
358재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 237 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
412재고 상태
1,000예상 2026-03-05
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
490재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 42 nC - 40 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
59재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
25재고 상태
500예상 2026-09-03
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
178재고 상태
240예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
298재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
215재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
152재고 상태
1,700예상 2026-05-21
최소: 1
배수: 1
릴: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10-1 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
73재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
38재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
358재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10-1 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 31 nC - 55 C + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
277재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
4,000예상 2026-08-27
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 109 nC - 55 C + 150 C 351 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
2,999예상 2026-03-19
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 95 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 40 C + 150 C 147 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
2,990예상 2026-08-20
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
릴: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 68 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 367 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 750
배수: 750
릴: 750

Si HDSOP-22 600 V Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,700
배수: 1,700
릴: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 61 A 45 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 379 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 750
배수: 750
릴: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 112 A 20 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 186 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 750
배수: 750
릴: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 127 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
리드 타임 19 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 8 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel