NSF0x0120 N-채널 SiC MOSFET

Nexperia NSF0x0120 N-Channel SiC MOSFETs offer superior RDS(on) temperature stability in a standard 7-pin TO-263 plastic package for surface-mounting PCB technology. The NSF0x0120 is based on a 1200V power MOSFET with a fast switching speed. These combined features make the Nexperia NSF0x0120 MOSFETs ideal for high-power and high-voltage industrial applications, including E-vehicle charging infrastructure, photovoltaic inverters, and motor drives.

결과: 19
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드
Nexperia SiC MOSFET NSF060120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 477재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 183 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120T2A0/SOT8107/X.PAK 785재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 68 A 45 mOhms 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 294 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120D7A0/SOT8070/TO263-7L 599재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 67 A 30 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120L4A0/SOT8071/TO247-4L 435재고 상태
최소: 1
배수: 1

Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A0/SOT8070/TO263-7L 766재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 65 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 95 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF017120T2A0/SOT8107/X.PAK 730재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 122 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 190 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120D7A0-Q/SOT8070/TO263- 660재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 113 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A1-Q/SOT8070/TO263- 800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120D7A1/SOT8070/TO263-7L 795재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 54 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120T2A1/SOT8107/X.PAK 750재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 55 A 60 mOhms 22 V 2.9 V 81 nC - 55 C + 175 C 254 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET SOT8107 1200V 36A N-CH 800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT SOT8107-2-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 36 A 90 mOhms 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120L3A0/SOT429-2/TO247-3 427재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 30

Nexperia SiC MOSFET NSF030120L3A0/SOT429-2/TO247-3 440재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 30

Nexperia SiC MOSFET NSF060120D7A0/SOT8070/TO263-7L 795재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38 A 60 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120L4A0/SOT8071/TO247-4L 450재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 30

Nexperia SiC MOSFET NSF080120D7A0/SOT8070/TO263-7L 790재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 33 A 80 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 52 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF030120T1A0/SOT8114/QDPAK 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000
SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1200 V 68 A 45 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 108 nC - 55 C + 175 C 313 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF040120T1A1/SOT8114/QDPAK 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 30
SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1200 V 50 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 78 nC - 55 C + 175 C 217 W Enhancement
Nexperia SiC MOSFET NSF060120T1A0/SOT8114/QDPAK 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000
SMD/SMT QDPAK-22 N-Channel 1 Channel 1200 V 33 A 90 mOhms - 10 V, + 22 V 2.9 V 61 nC - 55 C + 175 C 152 W Enhancement