TO-247-4 로우 프로파일 1 200 V SiC 전력 MOSFET

Wolfspeed TO-247-4 로우 프로파일 1 200 V SiC(탄화 규소) 전력 MOSFET은 낮은 정전용량과 높은 차단 전압과 낮은 온 상태 저항을 제공하는 고속 스위칭이 특징입니다. 이 전력 MOSFET은 스위칭 손실 및 냉각 요구 사항을 줄이고 게이트 공명을 최소화합니다. 1 200 V SiC 전력 MOSFET에는 역회복(Qrr)이 낮은 고속 진성 다이오드가 통합되어 있습니다. 이 전력 MOSFET은 전력 밀도와 시스템 스위칭 주파수를 증가시킵니다. 1200V SiC 전력 MOSFET은 별도의 드라이버 소스핀과 함께 최적화된 패키지로 제공되며 로우 프로파일 TO-247-4 패키지 본체로 제공됩니다. 이 전력 MOSFET은 무할로겐이며 RoHS를 준수합니다. 일반적으로 모터 제어, EV 배터리 충전기, 고전압 DC/DC 컨버터, 태양광/ESS, UPS 및 엔터프라이즈 PSU에 사용됩니다.

결과: 6
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
데이터시트
850재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 115 A 29 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 223 nC - 40 C + 175 C 556 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
데이터시트
444재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 35 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 177 nC - 40 C + 175 C 405 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 32mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
데이터시트
309재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 69 A 55 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 118 nC - 40 C + 175 C 278 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 40mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
데이터시트
139재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 66 A 70 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 94 nC - 40 C + 175 C 242 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 75mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
데이터시트
230재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 32 A 135 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 53 nC - 55 C + 150 C 145 W Enhancement
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 160mO, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
데이터시트
384재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 1.2 kV 17.9 A 280 mOhms - 4 V, + 15 V 3.8 V 32 nC - 40 C + 175 C 103 W Enhancement