DMWSH120Hx 1 200 V N-채널 전력 MOSFET

Diodes Incorporated DMWSH120Hx 1200V N채널 전력 MOSFET은 온 상태 저항을 최소화하고 우수한 스위칭 성능을 유지하도록 설계된 실리콘 카바이드 MOSFET입니다. 이 MOSFET은 낮은 입력 정전용량, 최대 100 μA 제로 게이트 전압 드레인 전류, 최대 ±250nA 게이트 소스 누설 및 전력 애플리케이션을 위한 높은 BVDSS 등급이 특징입니다. DMWSH120Hx MOSFET은 -55 °C ~ 175 °C의 온도 범위 내에서 작동하고 UL 94 V-0 가연성 분류 등급을 준수합니다. 이 전력 MOSFET은 EV 고전력 DC-DC 컨버터, EV 충전 시스템, 태양광 인버터, AC-DC 트랙션 인버터 및 자동차 모터 드라이버에 이상적입니다.

결과: 10
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드


Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO263-7 TUBE 50PCS
데이터시트
50재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 38.2 A 90 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 54.6 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
데이터시트
50재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement
Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
데이터시트
24재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 97.4 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 175 nC - 55 C + 175 C 405 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
데이터시트
17재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 3.6 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
데이터시트
39재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole To-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 72.7 A 43 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 105 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
데이터시트
90재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 170 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TUBE 30PS
데이터시트
60재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 41 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 50.9 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
데이터시트
92재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
데이터시트
20재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28.5 mOhms - 8 V, + 19 V 2.5 V 173.7 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement


Diodes Incorporated SiC MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
데이터시트
60재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 40 A 97.5 mOhms - 4 V, + 15 V 3.5 V 51.1 nC - 55 C + 175 C 235 W Enhancement