700 VCoolGaN™G5 전력 트랜지스터

Infineon Technologies700 VCoolGaN™G5 전력 트랜지스터는 전력 변환 기술의 획기적인 발전을 나타냅니다. 질화갈륨(GaN) 트랜지스터는 고주파에서 우수한 효율로 작동하도록 설계되어 초고속 스위칭을 가능하게 하고 에너지 손실을 최소화합니다. 700 VCoolGaN G5 시리즈는 평소에는 꺼져 있는 강화 모드 트랜지스터를 탑재하여 안전한 작동과 높은 신뢰성을 보장합니다. 게이트 및 출력 전하가 낮은 이 트랜지스터는 높은 전력 밀도 설계를 지원하고 시스템 BOM 비용을 절감합니다.

결과: 7
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
데이터시트
1,792재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V - 10 V 1.6 V 1.9 nC - 40 C + 150 C 29 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
데이터시트
4,888재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 13 A 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
데이터시트
5,130재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 9.2 A 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.26 nC - 40 C + 150 C 34 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
데이터시트
1,924재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 240 mOhms - 10 V 1.6 V 1.3 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
데이터시트
1,924재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1 nC - 40 C + 150 C 18 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
데이터시트
1,096재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

SMD/SMT N-Channel 1 Channel 700 V 600 mOhms - 10 V 1.6 V 0.53 nC - 40 C + 150 C 11 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5
데이터시트
4,994예상 2026-02-23
최소: 1
배수: 1
릴: 5,000

SMD/SMT PG-TSON-8 HEMT 1 Channel 700 V 7.2 A 330 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 40 C + 150 C 28 W Enhancement CoolGaN