IGD70R140D2SAUMA1

Infineon Technologies
726-IGD70R140D2SAUMA
IGD70R140D2SAUMA1

제조업체:

설명:
GaN FET CoolGaN Transistor 700 V G5

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
ECAD 모델:
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재고 상태: 1,788

재고:
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단가:
₩-
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가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩3,966.4 ₩3,966
₩2,560.4 ₩25,604
₩1,820.4 ₩182,040
₩1,524.4 ₩762,200
₩1,314.2 ₩1,314,200
전체 릴(2500의 배수로 주문)
₩1,185.5 ₩2,963,750
₩1,163.3 ₩5,816,500

제품 속성 속성 값 속성 선택
Infineon
제품 카테고리: GaN FET
RoHS:  
SMD/SMT
N-Channel
1 Channel
700 V
- 10 V
1.6 V
1.9 nC
- 40 C
+ 150 C
29 W
Enhancement
CoolGaN
브랜드: Infineon Technologies
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): AT
하강 시간: 23 ns
포장: Reel
포장: Cut Tape
제품: Transistors
제품 유형: GaN FETs
상승 시간: 7 ns
시리즈: CoolGaN G5
팩토리 팩 수량: 2500
하위 범주: Transistors
기술: GaN
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
타입: CoolGaN Transistor
표준 턴-오프 지연 시간: 10 ns
표준 턴-온 지연 시간: 7 ns
부품번호 별칭: IGD70R140D2S SP006085341
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

700 VCoolGaN™G5 전력 트랜지스터

Infineon Technologies700 VCoolGaN™G5 전력 트랜지스터는 전력 변환 기술의 획기적인 발전을 나타냅니다. 질화갈륨(GaN) 트랜지스터는 고주파에서 우수한 효율로 작동하도록 설계되어 초고속 스위칭을 가능하게 하고 에너지 손실을 최소화합니다. 700 VCoolGaN G5 시리즈는 평소에는 꺼져 있는 강화 모드 트랜지스터를 탑재하여 안전한 작동과 높은 신뢰성을 보장합니다. 게이트 및 출력 전하가 낮은 이 트랜지스터는 높은 전력 밀도 설계를 지원하고 시스템 BOM 비용을 절감합니다.