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SiTime TCXO 발진기 SiT5155, -40 to 105C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 2.8V, 20MHz, Voltage Control, 6.25 ppm pull range, LVCMOS, 25 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 25
배수: 25
: 25

SiTime TCXO 발진기 SiT5155, -40 to 105C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 2.8V, 20MHz, Voltage Control, 6.25 ppm pull range, LVCMOS, 250 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 250
배수: 250
: 250

SiTime TCXO 발진기 SiT5155, -40 to 105C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 40MHz, No Connect, pull range, LVCMOS, 250 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 250
배수: 250
: 250

SiTime TCXO 발진기 20MHz 3.3V 0.5ppm -40 to 85C 비재고 리드 타임 10 주
최소: 250
배수: 250
: 250

SiTime TCXO 발진기 SiT5155, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 10MHz, Output Enable, pull range, LVCMOS, 25 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 25
배수: 25
: 25

SiTime TCXO 발진기 SiT5155, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 20MHz, Output Enable, pull range, LVCMOS, 25 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 25
배수: 25
: 25

SiTime TCXO 발진기 SiT5155, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 10MHz, Voltage Control, 6.25 ppm pull range, LVCMOS, 25 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 25
배수: 25
: 25

SiTime TCXO 발진기 SiT5155, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 10MHz, Voltage Control, 6.25 ppm pull range, LVCMOS, 1k pcs T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SiTime TCXO 발진기 SiT5155, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 20MHz, Voltage Control, 6.25 ppm pull range, LVCMOS, 25 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 25
배수: 25
: 25

SiTime TCXO 발진기 SiT5156, -40 to 105C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.0V, 38.4MHz, Voltage Control, 6.25 ppm pull range, Clipped Sinewave, 25 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 25
배수: 25
: 25

SiTime TCXO 발진기 SiT5156, -40 to 105C, 5.0x3.2, 2.5ppm, 3.3V, 50MHz, Output Enable, pull range, LVCMOS, 250 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 250
배수: 250
: 250

SiTime TCXO 발진기 SiT5156, -40 to 105C, 5.0x3.2, 2.5ppm, 3.3V, 50MHz, Output Enable, pull range, LVCMOS, 1k pcs T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SiTime TCXO 발진기 25MHz 3.3V 0.5ppm -40 to 85C 비재고 리드 타임 10 주
최소: 250
배수: 250
: 250

SiTime TCXO 발진기 SiT5156, -40 to 85C, 5.0x3.2, 1ppm, 2.5V, 25MHz, Output Enable, pull range, LVCMOS, 25 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 25
배수: 25
: 25

SiTime TCXO 발진기 SiT5156, -40 to 85C, 5.0x3.2, 1ppm, 3.3V, 10MHz, Voltage Control, 6.25 ppm pull range, LVCMOS, 1k pcs T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SiTime TCXO 발진기 SiT5156, -40 to 85C, 5.0x3.2, 2.5ppm, 3.3V, 19.44MHz, Output Enable, pull range, LVCMOS, 1k pcs T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SiTime TCXO 발진기 SiT5156, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 25MHz, Output Enable, pull range, LVCMOS, 25 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 25
배수: 25
: 25

SiTime TCXO 발진기 SiT5156, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 25MHz, No Connect, pull range, LVCMOS, 25 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1
배수: 1
: 25

SiTime TCXO 발진기 SiT5156, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 25MHz, No Connect, pull range, LVCMOS, 1k pcs T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SiTime TCXO 발진기 SiT5156, -40 to 85C, 5.0x3.2, 1ppm, 2.5V, 16.368MHz, No Connect, pull range, Clipped Sinewave, 250 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 250
배수: 250
: 250

SiTime TCXO 발진기 SiT5157, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 100MHz, No Connect, pull range, LVCMOS, 25 T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 25
배수: 25
: 25

SiTime TCXO 발진기 SiT5157, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 122.88MHz, Output Enable, pull range, LVCMOS, 1k pcs T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SiTime TCXO 발진기 SiT5157, -40 to 85C, 5.0x3.2, 0.5ppm, 3.3V, 122.88MHz, No Connect, pull range, LVCMOS, 1k pcs T&R 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

SiTime 표준 클록 발진기 -40 to 85C, 1508, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, 400mV, 1.10V, 10k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 12 주
최소: 20,000
배수: 10,000
: 10,000

SiTime 표준 클록 발진기 -40 to 85C, 2012, 100ppm, 0.032768MHz, DC-C, 300mV, 1.10V, 1k pcs T&R 8 mm 비재고 리드 타임 6 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000