UF3C065040K4S

Name: onsemi UF3C065040K4S
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065040K4S
Price: 23280 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

431-UF3C065040K4S

제조업체 번호:

UF3C065040K4S

제조업체:

onsemi

설명:

SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO247

데이터시트:

UF3C065040K4S 데이터시트

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	54 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	52 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	43 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	326 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
상표명:	SiC FET
브랜드:	onsemi
구성:	Single
COA(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	PH
포장:	Tube
제품 유형:	SiC MOSFETS
시리즈:	UF3C
팩토리 팩 수량:	600
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
단위 중량:	6 g

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문서 필터:

데이터시트

UF3C065040K4S 데이터시트

Models

SPICE Model/UF3C065040K4S (텍스트)

PCN

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.