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UF3C065040B3

Name: onsemi UF3C065040B3
Brand: onsemi
SKU: 431-UF3C065040B3
Price: 22732 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

431-UF3C065040B3

제조업체 번호:

UF3C065040B3

제조업체:

onsemi

설명:

SiC MOSFET 650V/40MOSICFETG3TO263

라이프사이클:

NRND:

새로운 디자인에 권장되지 않습니다.

데이터시트:

UF3C065040B3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 210

재고:: 210 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 22 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(800의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩22,732.8	₩22,733
	₩16,043.2	₩160,432
	₩14,592.8	₩1,459,280
	₩13,823.2	₩6,911,600
전체 릴(800의 배수로 주문)
	₩13,704.8	₩10,963,840
2,400	견적

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	D2PAK-3 (TO-263-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	41 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	52 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 25 V, + 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	51 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	176 W
채널 모드:	Enhancement
자격:	AEC-Q101
상표명:	SiC FET
브랜드:	onsemi
구성:	Single
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
제품 유형:	SiC MOSFETS
시리즈:	UF3C
팩토리 팩 수량:	800
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
단위 중량:	2.414 g

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

UF3C065040B3 데이터시트

Models

SPICE Model/UF3C065040B3 (텍스트)

PCN

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CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

UF3C SiC FETs

onsemi UF3C High-Performance SiC FETs are cascode Silicon Carbide (SiC) products that co-package high-performance G3 SiC JFETs with a cascode-optimized Si MOSFET to produce a standard gate drive SiC device. This series exhibits ultra-low gate charge and is excellent for switching inductive loads and applications requiring a standard gate drive. The onsemi UF3C SiC FETs are available in 650V, 1200V, and 1700V versions and are offered in D²PAK-3, D²PAK-7, D²PAK-7L, TO-247-3L, TO-247-4L, and TO-220-3L packages.

D2-PAK 패키지로 제공되는 UF3C SiC FET

D2-PAK-3L 및 D2-PAK-7L 표면 실장 패키지로 제공되는 Qorvo UF3C SiC FET는 고유한 캐스코드 회로 구성을 기반으로 하며 탁월한 역방향 회복이 특징입니다. 캐스코드 회로 구성에서 상시 작동 SiC JFET는 Si MOSFET과 함께 패키징되어 상시 오프 SiC FET 장치를 생성합니다. 이 SiC FET는 낮은 보디 다이오드, 낮은 게이트 전하 및 0 V~15 V 드라이브를 허용하는 4.8 V 임계 전압을 제공합니다. 이 D2-PAK SiC FET 장치는 ESD 보호되며 >6.1mm의 패키지 연면 거리와 간극 거리를 제공합니다. FET(전계발광소자)의 표준 게이트 드라이브 특성은 Si IGBT, Si FET, SiC MOSFET 또는 Si 초접합을 위한 드롭인 대체품입니다. 이는 1 200 V 및 650 V 드레인-소스 항복 전압 변형 제품으로 제공되며 텔레콤 및 서버 전원, 산업용 전원 공급 장치, 모터 드라이브 및 유도 가열과 같은 제어된 환경에서 사용하기에 이상적입니다.

High-Performance SiC FETs

onsemi High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.