SCT4036DEC11

ROHM Semiconductor
755-SCT4036DEC11
SCT4036DEC11

제조업체:

설명:
SiC MOSFET Discrete Semiconductors, SiC Power Devices, 750V, 42A, 3-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET

라이프사이클:
신제품:
이 제조업체의 새로운 제품입니다.
데이터시트:
ECAD 모델:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩19,534.8 ₩19,535
₩11,855.2 ₩118,552
₩10,176.2 ₩1,017,620
₩9,811.2 ₩4,415,040

제품 속성 속성 값 속성 선택
ROHM Semiconductor
제품 카테고리: SiC MOSFET
Through Hole
TO-247N-3
N-Channel
1 Channel
750 V
42 A
47 mOhms
- 4 V, + 21 V
4.8 V
72 nC
+ 175 C
136 W
Enhancement
브랜드: ROHM Semiconductor
구성: Single
하강 시간: 11 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 10 S
포장: Tube
제품: Power MOSFETs
제품 유형: SiC MOSFETS
상승 시간: 22 ns
팩토리 팩 수량: 450
하위 범주: Transistors
기술: SiC
트랜지스터 타입: 1 N-Channel
타입: SiC Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간: 28 ns
표준 턴-온 지연 시간: 13 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

데이터시트

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USHTS:
8541100080
ECCN:
EAR99

750V N-채널 SiC MOSFET

ROHM Semiconductor 750V N-채널 SiC MOSFET은 스위칭 주파수를 높여 커패시터, 리액터 및 기타 필요한 구성 요소의 부피를 줄일 수 있습니다. 이러한 SiC MOSFET은 TO-247N, TOLL, TO-263-7L, TO-263-7LA, TO-247-4L 패키지로 제공됩니다. 이 장치의 정적 드레인-소스 온 상태 저항 [RDS(on)](일반) 정격은 13~65mΩ이며 연속 드레인(ID) 및 소스 전류(IS)(TC = 25°C)는 22~120A입니다. 이러한 ROHM Semiconductor 750V SiC MOSFET은 SiC 기술의 고유한 특성을 활용하여 높은 내전압, 낮은 온 상태 저항 및 고속 스위칭 특성을 제공합니다.

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