NTH4L016N065M3S

Name: onsemi NTH4L016N065M3S
Brand: onsemi
SKU: 863-NTH4L016N065M3S
Price: 23813 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

863-NTH4L016N065M3S

제조업체 번호:

NTH4L016N065M3S

제조업체:

onsemi

설명:

SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 16MOHM 650V M3S

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

NTH4L016N065M3S 데이터시트

ECAD 모델:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	onsemi
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	71 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	23.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, 22.6 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	100 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	300 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	EliteSiC
브랜드:	onsemi
구성:	Single
하강 시간:	45 ns
포장:	Tube
제품:	SiC MOSFET
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	20 ns
시리즈:	NTH4L016N065M3S
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	45 ns
표준 턴-온 지연 시간:	6.5 ns

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문서 필터:

데이터시트

NTH4L016N065M3S 데이터시트

USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

650 V EliteSiC(탄화 규소) MOSFET

Onsemi 650 V EliteSiC(탄화 규소) MOSFET은 실리콘에 비해 우수한 스위칭 성능과 더 높은 신뢰성을 제공하는 기술을 사용합니다. 또한 낮은 온 상태 저항과 콤팩트한 칩 크기는 낮은 정전용량과 게이트 전하를 보장합니다. 따라서 시스템의 이점으로는 최고 효율, 신속한 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다. onsemi TOLL 패키지는 Kelvin 소스 구성과 낮은 기생 소스 인덕턴스 덕분에 향상된 열 성능과 탁월한 스위칭 성능을 제공합니다. TOLL은 MSL 1(수분 민감도 수준 1)을 제공합니다.