MASTERGAN1TR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1TR
Price: 5752 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

511-MASTERGAN1TR

제조업체 번호:

MASTERGAN1TR

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 High power density 600V half-bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

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데이터시트:

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제조업체 부품 번호:

MASTERGAN1

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Tray

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	Half-Bridge Drivers
타입:	High-Side, Low-Side
장착 스타일:	SMD/SMT
드라이버 수:	2 Driver
출력 수:	1 Output
출력 전류:	10 A
공급 전압 - 최소:	4.75 V
공급 전압 - 최대:	9.5 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	MASTERGAN
포장:	Reel
브랜드:	STMicroelectronics
습도에 민감:	Yes
제품 유형:	Gate Drivers
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs

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문서 필터:

데이터시트

MASTERGAN1TR 데이터시트 (PDF)

PCN

CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버

STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고압 드라이버는 하프 브리지 구성에서 게이트 드라이버와 2개의 강화 모드 GaN 트랜지스터를 모두 통합하여 고출력 밀도 전원 공급 장치를 구현했습니다. 통합 전력 GaN는 150mΩ R_DS(ON) 및 650V 드레인 소스 항복 전압이 특징입니다. 통합형 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 사이드를 신속하게 공급할 수 있습니다.