MASTERGAN1L

Name: STMicroelectronics MASTERGAN1L
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN1L
Price: 12862 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

511-MASTERGAN1L

제조업체 번호:

MASTERGAN1L

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

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데이터시트:

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ECAD 모델:

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	₩12,862.6	₩12,863
	₩9,650.6	₩96,506
	₩9,198	₩229,950
	₩7,986.2	₩798,620
	₩7,621.2	₩1,905,300
	₩6,949.6	₩3,474,800
	₩6,205	₩6,205,000

대체 포장

제조업체 부품 번호:

MASTERGAN1LTR

포장:

Reel, Cut Tape

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩10,424

최소:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
제품:	Half-Bridge Drivers
타입:	Half-Bridge
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-31
출력 수:	4 Output
출력 전류:	12 A
공급 전압 - 최소:	4.75 V
공급 전압 - 최대:	9.5 V
구성:	Non-Inverting
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	MASTERGAN
포장:	Tray
브랜드:	STMicroelectronics
습도에 민감:	Yes
Pd - 전력 발산:	40 mW
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	70 ns
팩토리 팩 수량:	1560
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	GaN

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문서 필터:

데이터시트

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CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버

STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고압 드라이버는 하프 브리지 구성에서 게이트 드라이버와 2개의 강화 모드 GaN 트랜지스터를 모두 통합하여 고출력 밀도 전원 공급 장치를 구현했습니다. 통합 전력 GaN는 150mΩ R_DS(ON) 및 650V 드레인 소스 항복 전압이 특징입니다. 통합형 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 사이드를 신속하게 공급할 수 있습니다.