IXSH65N120L2KHV

Name: IXYS IXSH65N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH65N120L2KHV
Price: 14829 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

747-IXSH65N120L2KHV

제조업체 번호:

IXSH65N120L2KHV

제조업체:

IXYS

설명:

SiC MOSFET 1200V 40mohm (65A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IXSH65N120L2KHV 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

IXYS IXSH65N120L2KHV에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 100

재고:: 100

즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
주문 중:: 450

예상 2026-06-02
공장 리드 타임:: 27

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩14,829.6	₩14,830
	₩11,248	₩112,480
	₩9,368.4	₩936,840
전체 릴(450의 배수로 주문)
	₩8,347.2	₩3,756,240
	₩7,444.4	₩6,699,960

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-4L
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	65 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	52 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.5 V
Qg - 게이트 전하:	110 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	375 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	IXYS
구성:	Single
하강 시간:	10.5 ns
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품:	MOSFETs
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	22.1 ns
팩토리 팩 수량:	450
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	19.3 ns
표준 턴-온 지연 시간:	9.6 ns

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IXSH65N120L2KHV 데이터시트 (PDF)

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET은 낮은 온 상태 저항 [R_{DS (on)}]과 함께 높은 차단 전압을 제공합니다. 온 상태 저항은 25mΩ ~160 mΩ 이며 연속 드레인 전류(I_D)는 20A ~ 111A 입니다. 이 장치는 낮은 정전 용량으로 고속 스위칭을 제공하고 초고속 진성 바디 다이오드를 갖추고 있습니다. 이 장치는 650V 또는 1,200V 드레인-소스 정격 전압(V_DSS)으로 제공됩니다. IXYS IXSxNxL2Kx SiC(탄화 규소) MOSFET은 세 가지 패키지(TO-263-7L, TOLL-8 및 TO-247-4L)로 제공됩니다.