GP2T040A120J

Name: SemiQ GP2T040A120J
Brand: SemiQ
SKU: 148-GP2T040A120J
Price: 17228 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

148-GP2T040A120J

제조업체 번호:

GP2T040A120J

제조업체:

SemiQ

설명:

SiC MOSFET 1200V, 40mOhm, TO-263-7L MOSFET

데이터시트:

GP2T040A120J 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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	₩13,475.8	₩134,758
	₩11,212.8	₩1,121,280
	₩10,001	₩5,000,500
	₩8,482.6	₩8,482,600

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	SemiQ
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TO-263-7
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	66 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	38 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	112 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	357 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	SemiQ
구성:	Single
하강 시간:	12 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	16 S
포장:	Tube
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	5 ns
시리즈:	GP2T020A120
팩토리 팩 수량:	50
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
표준 턴-오프 지연 시간:	28 ns
표준 턴-온 지연 시간:	14 ns

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문서 필터:

데이터시트

GP2T040A120J 데이터시트 (PDF)

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

GP2T040A120x SiC MOSFETs

SemiQ GP2T040A120x SiC MOSFETs benefit many applications, including Power Factor Correction, DC-DC Converter Primary Switching, and Synchronous rectification. The GP2T040A120x when combined with Silicon Carbide Schottky diodes offers optimal performance that can be achieved without the trade-offs made with Silicon devices. EV Charging, Solar/Wind, Industrial Controls, and HVAC systems benefit from the increased performance achieved with SemiQ SiC MOSFETs.