DIW065SIC080

Name: Diotec Semiconductor DIW065SIC080
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DIW065SIC080
Price: 22177 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

637-DIW065SIC080

제조업체 번호:

DIW065SIC080

제조업체:

Diotec Semiconductor

설명:

SiC MOSFET

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

DIW065SIC080 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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수량	단가	합계
	₩22,177.4	₩22,177
	₩17,330.2	₩173,302
	₩10,395.2	₩1,247,424
	₩10,293	₩5,249,430
	₩9,971.8	₩10,171,236
2,520	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Diotec Semiconductor
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	36 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	80 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 5 V, + 18 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	75 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	175 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	DIW065SIC080
브랜드:	Diotec Semiconductor
구성:	Single
하강 시간:	9 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	3.5 S
제품:	MOSFETs
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	13 ns
팩토리 팩 수량:	30
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	20 ns
표준 턴-온 지연 시간:	10 ns

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문서 필터:

데이터시트

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

Diotec Semiconductor TO-247-3L/4L Silicon Carbide (SiC) MOSFETs are ideally suited for high voltage and high frequency switching used in charging systems for electric vehicles (EV), solar inverters, or telecom power supplies. These MOSFETs feature a high 1200V and 650V reverse voltage, extremely low on-resistance, total Gate charge, low switching time, and low total switching energy. Advanced planar technology and the Silicon Carbide wafer material enable higher on-resistances at higher switching frequencies. These MOSFETs are used in DC-DC converters, DC drives, inverters, charging stations, Power Factor Correction (PFC), solar inverters, and power supplies.