C3M0032120D

Wolfspeed
941-C3M0032120D
C3M0032120D

제조업체:

설명:
SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET

데이터시트:
ECAD 모델:
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합계
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₩16,931.2 ₩169,312
₩16,916.4 ₩2,029,968
₩12,032.4 ₩6,136,524
₩10,212 ₩10,416,240

제품 속성 속성 값 속성 선택
Wolfspeed
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
63 A
32 mOhms
- 4 V, + 15 V
3.6 V
114 nC
- 40 C
+ 175 C
283 W
Enhancement
브랜드: Wolfspeed
구성: Single
하강 시간: 19 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소: 27 S
포장: Tube
제품: MOSFETs
제품 유형: SiC MOSFETS
상승 시간: 22 ns
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Transistors
기술: SiC
표준 턴-오프 지연 시간: 39 ns
표준 턴-온 지연 시간: 107 ns
단위 중량: 6 g
제품을 찾음:
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CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

1 200 V 탄화규소 전력 MOSFET

Wolfspeed   1 200 V 탄화규소 전력 MOSFET은 성능, 견고성 및 설계 용이성에 대한 표준을 설정합니다. Wolfspeed MOSFET은 빠른 스위칭 및 낮은 스위칭 손실 성능이 특징으로, 실리콘 MOSFET 및 IGBT 시대에 비해 시스템 효율, 전력 밀도 및 전체 BOM 비용을 상당히 개선할 수 있습니다.

탄화 규소 1200V MOSFET 및 다이오드

Wolfspeed SiC(탄화 규소) 1,200V MOSFET 및 다이오드는 까다로운 애플리케이션에서 높은 효율의 강력한 조합을 생성합니다. 이 MOSFET 및 쇼트키 다이오드는 고전력 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다. 1 200 V SiC MOSFET은 안정적인 Rds(on) 과열 및 애벌랜치 견고성이 특징입니다. 이 MOSFET은 외부 다이오드가 필요하지 않으며 15V 게이트 드라이브를 제공하므로 더 쉽게 구동할 수 있는 견고한 바디 다이오드입니다. 1 200 V SiC MOSFET은 스위칭 및 전도 손실이 낮고 시스템 레벨 전력 밀도가 개선된 시스템 레벨 효율을 제공합니다.

SiC C3M MOSFET

Cree SiC C3M MOSFET은 높은 스위칭 주파수가 가능하고 및 인덕터, 커패시터, 필터 및 트랜스포머 구성요소 크기를 줄입니다. SiC C3M MOSFET은 시스템 효율성 높으며 쿨링 요건이 낮습니다. MOSFET은 또한 전력 밀도 및 시스템 스위칭 주파수를 증가시킵니다.
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