|
|
제너 다이오드 SOD-923 EUT SNGL LPS PBF
- SZNZ9F10VST5G
- onsemi
-
1:
₩516.8
-
7,086재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-SZNZ9F10VST5G
신제품
|
onsemi
|
제너 다이오드 SOD-923 EUT SNGL LPS PBF
|
|
7,086재고 상태
|
|
|
₩516.8
|
|
|
₩352.6
|
|
|
₩223.4
|
|
|
₩141.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩92.7
|
|
|
₩123.1
|
|
|
₩107.9
|
|
|
₩92.7
|
|
|
₩92.7
|
|
최소: 1
배수: 1
:
8,000
|
|
|
|
|
MOSFET SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)
- NVNJWS200N031LTAG
- onsemi
-
1:
₩1,216
-
1,801재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-VNJWS200N031LTAG
신제품
|
onsemi
|
MOSFET SMALL SIGNAL REFRESH - T1 30V (N-CH)
|
|
1,801재고 상태
|
|
|
₩1,216
|
|
|
₩837.5
|
|
|
₩553.3
|
|
|
₩419.5
|
|
|
₩373.9
|
|
|
₩294.9
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
- AIMDQ75R050M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,564.8
-
56재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-AIMDQ75R050M2HXT
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK
|
|
56재고 상태
|
|
|
₩15,564.8
|
|
|
₩10,624.8
|
|
|
₩8,770.4
|
|
|
₩7,812.8
|
|
|
₩7,311.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
|
|
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
- IAUCN04S7L042GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩2,538.4
-
1,729재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IAUCN04S7L042GAT
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
|
|
1,729재고 상태
|
|
|
₩2,538.4
|
|
|
₩1,565.6
|
|
|
₩1,029
|
|
|
₩808.6
|
|
|
₩541.1
|
|
|
보기
|
|
|
₩691.6
|
|
|
₩638.4
|
|
|
₩536.6
|
|
|
₩471.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
MOSFET 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
- IPLT60R099CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩7,037.6
-
686재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IPLT60R099CM8XTM
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
|
|
686재고 상태
|
|
|
₩7,037.6
|
|
|
₩4,605.6
|
|
|
₩3,435.2
|
|
|
₩2,872.8
|
|
|
₩2,492.8
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,675.2
|
|
|
₩2,264.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
- ISC040N10NM7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩5,350.4
-
513재고 상태
-
5,000예상 2026-09-03
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-ISC040N10NM7ATMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
|
|
513재고 상태
5,000예상 2026-09-03
|
|
|
₩5,350.4
|
|
|
₩3,465.6
|
|
|
₩2,386.4
|
|
|
₩1,991.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,732.8
|
|
|
₩1,854.4
|
|
|
₩1,732.8
|
|
|
₩1,732.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE DO214
- BZG05C16-HM3_A-08
- Vishay Semiconductors
-
1:
₩1,474.4
-
1,200재고 상태
-
5,400주문 중
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-BZG05C16-HM3_A-08
신제품
|
Vishay Semiconductors
|
제너 다이오드 ZENER DIODE DO214
|
|
1,200재고 상태
5,400주문 중
|
|
|
₩1,474.4
|
|
|
₩1,048.8
|
|
|
₩653.6
|
|
|
₩449.9
|
|
|
보기
|
|
|
₩378.5
|
|
|
₩339
|
|
|
₩294.9
|
|
|
₩269
|
|
|
₩232.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- BZX384C20-HE3_A08
- Vishay
-
1:
₩805.6
-
13,792재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-BZX384C20-HE3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
13,792재고 상태
|
|
|
₩805.6
|
|
|
₩550.2
|
|
|
₩348.1
|
|
|
₩218.9
|
|
|
₩167.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩191.5
|
|
|
₩142.9
|
|
|
₩126.2
|
|
|
₩86.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- GDZ18B-HG3_A08
- Vishay
-
1:
₩820.8
-
14,170재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-GDZ18B-HG3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
14,170재고 상태
|
|
|
₩820.8
|
|
|
₩567
|
|
|
₩358.7
|
|
|
₩226.5
|
|
|
₩173.3
|
|
|
보기
|
|
|
₩197.6
|
|
|
₩147.4
|
|
|
₩117
|
|
|
₩95.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- GDZ9V1B-HE3_A08
- Vishay
-
1:
₩820.8
-
16,365재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-GDZ9V1B-HE3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
16,365재고 상태
|
|
|
₩820.8
|
|
|
₩567
|
|
|
₩358.7
|
|
|
₩226.5
|
|
|
₩173.3
|
|
|
보기
|
|
|
₩197.6
|
|
|
₩147.4
|
|
|
₩117
|
|
|
₩95.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQM120P06-07L_NE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
₩6,399.2
-
600재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-SQM120P06-07L_NE3
신제품
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
600재고 상태
|
|
|
₩6,399.2
|
|
|
₩4,195.2
|
|
|
₩3,131.2
|
|
|
₩2,629.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,416.8
|
|
|
₩2,249.6
|
|
|
₩2,052
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
- NTMFS4D5N08XT1G
- onsemi
-
1:
₩2,766.4
-
1,050재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTMFS4D5N08XT1G
신제품
|
onsemi
|
MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
|
|
1,050재고 상태
|
|
|
₩2,766.4
|
|
|
₩1,763.2
|
|
|
₩1,175
|
|
|
₩927.2
|
|
|
₩753.9
|
|
|
₩729.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
- AAR075V120H2
- APC-E
-
1:
₩12,342.4
-
290재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
896-AAR075V120H2
신제품
|
APC-E
|
SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
|
|
290재고 상태
|
|
|
₩12,342.4
|
|
|
₩8,253.6
|
|
|
₩6,627.2
|
|
|
₩5,669.6
|
|
|
₩5,213.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩7,539.2
-
700재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT140R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
700재고 상태
|
|
|
₩7,539.2
|
|
|
₩5,274.4
|
|
|
₩3,952
|
|
|
₩3,511.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,918.4
|
|
|
₩3,450.4
|
|
|
₩2,918.4
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩5,882.4
-
700재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT240R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
700재고 상태
|
|
|
₩5,882.4
|
|
|
₩4,073.6
|
|
|
₩3,085.6
|
|
|
₩2,705.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩2,249.6
|
|
|
₩2,660
|
|
|
₩2,249.6
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N065DM9
- STMicroelectronics
-
1:
₩10,533.6
-
214재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-ST8L65N065DM9
신제품
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
214재고 상태
|
|
|
₩10,533.6
|
|
|
₩7,052.8
|
|
|
₩7,052.8
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 50
:
3,000
|
|
|
|
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
- IAUCN04S7N027GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩3,055.2
-
1,743재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IAUCN04S7N027GAT
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
|
|
1,743재고 상태
|
|
|
₩3,055.2
|
|
|
₩1,884.8
|
|
|
₩1,237.3
|
|
|
₩972.8
|
|
|
₩650.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩831.4
|
|
|
₩767.6
|
|
|
₩644.5
|
|
|
₩567
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
- IMBG75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩26,828
-
35재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMBG75R020M2HXTM
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
|
|
35재고 상태
|
|
|
₩26,828
|
|
|
₩20,428.8
|
|
|
₩17,024
|
|
|
₩15,169.6
|
|
|
₩12,874.4
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMBG75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩15,671.2
-
144재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMBG75R040M2HXTM
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
|
|
144재고 상태
|
|
|
₩15,671.2
|
|
|
₩11,080.8
|
|
|
₩9,226.4
|
|
|
₩8,223.2
|
|
|
₩7,691.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
소신호 스위칭 다이오드 1200V, 30A, TO-220-2L FRED
- DPU30I1200PA
- IXYS
-
1:
₩8,648.8
-
88재고 상태
-
1,000예상 2026-07-27
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
747-DPU30I1200PA
신제품
|
IXYS
|
소신호 스위칭 다이오드 1200V, 30A, TO-220-2L FRED
|
|
88재고 상태
1,000예상 2026-07-27
|
|
|
₩8,648.8
|
|
|
₩5,669.6
|
|
|
₩4,210.4
|
|
|
₩3,526.4
|
|
|
₩3,070.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE DO214
- BZG03C56-HM3_A-08
- Vishay Semiconductors
-
1:
₩1,960.8
-
1,767재고 상태
-
5,400주문 중
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-BZG03C56-HM3_A-08
신제품
|
Vishay Semiconductors
|
제너 다이오드 ZENER DIODE DO214
|
|
1,767재고 상태
5,400주문 중
|
|
|
₩1,960.8
|
|
|
₩1,211.4
|
|
|
₩796.5
|
|
|
₩626.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩550.2
|
|
|
₩484.9
|
|
|
₩434.7
|
|
|
₩415
|
|
|
₩364.8
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQD50P06-15L_NE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
₩3,876
-
1,900재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-SQD50P06-15L_NE3
신제품
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
1,900재고 상태
|
|
|
₩3,876
|
|
|
₩2,462.4
|
|
|
₩1,672
|
|
|
₩1,345.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,257
|
|
|
₩1,067
|
|
|
₩971.3
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
- STB25N018M9
- STMicroelectronics
-
1:
₩9,317.6
-
114재고 상태
-
1,000주문 중
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-STB25N018M9
신제품
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-channel 250 V, 14 mOhm typ., 54 A MDmesh M9 Power MOSFET in a D2PAK package
|
|
114재고 상태
1,000주문 중
|
|
|
₩9,317.6
|
|
|
₩6,110.4
|
|
|
₩4,499.2
|
|
|
₩4,058.4
|
|
|
₩3,435.2
|
|
|
보기
|
|
|
₩3,359.2
|
|
|
₩3,207.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,000
|
|
|
|
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
- IAUCN04S7N037GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩2,705.6
-
1,743재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IAUCN04S7N037GAT
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
|
|
1,743재고 상태
|
|
|
₩2,705.6
|
|
|
₩1,672
|
|
|
₩1,097.4
|
|
|
₩861.8
|
|
|
₩577.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩737.2
|
|
|
₩681
|
|
|
₩571.5
|
|
|
₩503.1
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R050M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩14,424.8
-
264재고 상태
-
750예상 2026-07-02
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMDQ75R050M2HXTM
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
264재고 상태
750예상 2026-07-02
|
|
|
₩14,424.8
|
|
|
₩9,849.6
|
|
|
₩8,116.8
|
|
|
₩7,235.2
|
|
|
₩6,764
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
|
