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ST8L65N065DM9

Name: STMicroelectronics ST8L65N065DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-ST8L65N065DM9
Price: 8524 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-ST8L65N065DM9

제조업체 번호:

ST8L65N065DM9

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package

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라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

ST8L65N065DM9 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 199

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공장 리드 타임:: 20 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1 최대: 50

단가:

₩-

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₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩8,524.8	₩8,525
	₩6,822.8	₩68,228
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩6,822.8	₩20,468,400

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerFLAT-4
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	44 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	65 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.5 V
Qg - 게이트 전하:	78 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	223 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	STMicroelectronics
구성:	Single
ACO(최종 조립 국가):	Not Available
COD(확산 공정 국가):	Not Available
COO(원산지):	CN
하강 시간:	4 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	6 ns
시리즈:	MDmesh DM9
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	61 ns
표준 턴-온 지연 시간:	19 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

ST8L65N065DM9 데이터시트 (PDF)

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KRHTS:: 8541299000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MDmesh™ M9 전력 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9 전력 MOSFET는 향상된 장치 구조, 낮은 온 상태 저항 및 낮은 게이트 전하 값이 특징입니다. 이러한 전력 MOSFET은 고역 다이오드 dv/dt 및 MOSFET dv/dt 견고성, 고출력 밀도, 저전도 손실을 제공합니다. MDmesh M9 전력 MOSFET는 또한 높은 스위칭 속도, 높은 효율 및 낮은 스위칭 전력 손실을 제공합니다. 이 전력 MOSFET은 인상적인 FoM(성능 지수)를 제공하는 혁신적인 고전압 초접합 기술로 설계되었습니다. 높은 FoM은 더욱 콤팩트한 솔루션을 위해 더 높은 전력 레벨과 밀도를 구현합니다. 일반적으로 서버, 전기 통신 데이터 센터, 5G 파워 스테이션, 마이크로 인버터 및 고속 충전기에 사용됩니다.

STP60N043DM9 MDmesh DM9 전력 MOSFET

STMicroelectronics STP60N043DM9 MDmesh DM9 전력 MOSFET은 고속 복구 다이오드와 결합된 면적당 극저R_DS(on)를 특징으로 하는 중압/고압 MOSFET용으로 설계되었습니다. 이 장치는 향상된 장치 구조를 허용하는 다중 드레인 제조 공정을 제공하는 혁신적인 초접합 MDmesh DM9 기술을 구현합니다.