|
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
- IAUCN04S7L042GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩2,538.4
-
1,729재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IAUCN04S7L042GAT
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
|
|
1,729재고 상태
|
|
|
₩2,538.4
|
|
|
₩1,565.6
|
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₩1,029
|
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₩808.6
|
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₩541.1
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보기
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₩691.6
|
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₩638.4
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|
₩536.6
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|
₩471.2
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
MOSFET 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
- IPLT60R099CM8XTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩7,037.6
-
686재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IPLT60R099CM8XTM
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET 600 V CoolMOS 8 Power Transistor
|
|
686재고 상태
|
|
|
₩7,037.6
|
|
|
₩4,605.6
|
|
|
₩3,435.2
|
|
|
₩2,872.8
|
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|
₩2,492.8
|
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|
보기
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|
|
₩2,675.2
|
|
|
₩2,264.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,800
|
|
|
|
|
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
- ISC040N10NM7ATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩5,350.4
-
513재고 상태
-
5,000예상 2026-08-20
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-ISC040N10NM7ATMA
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET OptiMOS 7 PowerTransistor, 100 V
|
|
513재고 상태
5,000예상 2026-08-20
|
|
|
₩5,350.4
|
|
|
₩3,465.6
|
|
|
₩2,386.4
|
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|
₩1,991.2
|
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|
보기
|
|
|
₩1,732.8
|
|
|
₩1,854.4
|
|
|
₩1,732.8
|
|
|
₩1,732.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE DO214
- BZG05C16-HM3_A-08
- Vishay Semiconductors
-
1:
₩1,474.4
-
1,200재고 상태
-
5,400주문 중
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-BZG05C16-HM3_A-08
신제품
|
Vishay Semiconductors
|
제너 다이오드 ZENER DIODE DO214
|
|
1,200재고 상태
5,400주문 중
|
|
|
₩1,474.4
|
|
|
₩1,048.8
|
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|
₩653.6
|
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|
₩449.9
|
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보기
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₩378.5
|
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₩339
|
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|
₩294.9
|
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|
₩269
|
|
|
₩232.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- BZX384C20-HE3_A08
- Vishay
-
1:
₩805.6
-
13,792재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-BZX384C20-HE3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
13,792재고 상태
|
|
|
₩805.6
|
|
|
₩550.2
|
|
|
₩348.1
|
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₩218.9
|
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|
₩167.2
|
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보기
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₩191.5
|
|
|
₩142.9
|
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|
₩126.2
|
|
|
₩86.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- GDZ18B-HG3_A08
- Vishay
-
1:
₩820.8
-
14,170재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-GDZ18B-HG3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
14,170재고 상태
|
|
|
₩820.8
|
|
|
₩567
|
|
|
₩358.7
|
|
|
₩226.5
|
|
|
₩173.3
|
|
|
보기
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|
|
₩197.6
|
|
|
₩147.4
|
|
|
₩117
|
|
|
₩95.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- GDZ9V1B-HE3_A08
- Vishay
-
1:
₩820.8
-
16,365재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-GDZ9V1B-HE3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
16,365재고 상태
|
|
|
₩820.8
|
|
|
₩567
|
|
|
₩358.7
|
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|
₩226.5
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₩173.3
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보기
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₩197.6
|
|
|
₩147.4
|
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|
₩117
|
|
|
₩95.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
- SQM120P06-07L_NE3
- Vishay Semiconductors
-
1:
₩6,399.2
-
600재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-SQM120P06-07L_NE3
신제품
|
Vishay Semiconductors
|
MOSFET P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
|
|
600재고 상태
|
|
|
₩6,399.2
|
|
|
₩4,195.2
|
|
|
₩3,131.2
|
|
|
₩2,629.6
|
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보기
|
|
|
₩2,416.8
|
|
|
₩2,249.6
|
|
|
₩2,052
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
- NTMFS4D5N08XT1G
- onsemi
-
1:
₩2,766.4
-
1,050재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
863-NTMFS4D5N08XT1G
신제품
|
onsemi
|
MOSFET T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL
|
|
1,050재고 상태
|
|
|
₩2,766.4
|
|
|
₩1,763.2
|
|
|
₩1,175
|
|
|
₩927.2
|
|
|
₩753.9
|
|
|
₩729.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
1,500
|
|
|
|
|
SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
- AAR075V120H2
- APC-E
-
1:
₩12,342.4
-
290재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
896-AAR075V120H2
신제품
|
APC-E
|
SiC MOSFET 1200V 75mR, TO-247-4L, Automotive Grade
|
|
290재고 상태
|
|
|
₩12,342.4
|
|
|
₩8,253.6
|
|
|
₩6,627.2
|
|
|
₩5,669.6
|
|
|
₩5,213.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT190R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩6,140.8
-
700재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT190R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
700재고 상태
|
|
|
₩6,140.8
|
|
|
₩4,575.2
|
|
|
₩3,465.6
|
|
|
₩3,344
|
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|
보기
|
|
|
₩2,325.6
|
|
|
₩2,751.2
|
|
|
₩2,325.6
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
- IAUCN04S7N015GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩3,176.8
-
1,736재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IAUCN04S7N015GAT
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
|
|
1,736재고 상태
|
|
|
₩3,176.8
|
|
|
₩1,991.2
|
|
|
₩1,310.2
|
|
|
₩1,039.7
|
|
|
₩755.4
|
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|
보기
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|
|
₩924.2
|
|
|
₩890.7
|
|
|
₩728.1
|
|
|
₩709.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
- IMDQ75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩16,203.2
-
80재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IMDQ75R040M2HXTM
신제품
|
Infineon Technologies
|
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
|
|
80재고 상태
|
|
|
₩16,203.2
|
|
|
₩11,445.6
|
|
|
₩9,545.6
|
|
|
₩8,496.8
|
|
|
₩7,949.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
750
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- BZX384B8V2-HG3_A08
- Vishay
-
1:
₩820.8
-
8,560재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-BZX384B82-HG3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
8,560재고 상태
|
|
|
₩820.8
|
|
|
₩567
|
|
|
₩358.7
|
|
|
₩226.5
|
|
|
₩173.3
|
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|
보기
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|
₩197.6
|
|
|
₩147.4
|
|
|
₩130.7
|
|
|
₩97.3
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- BZX384C15-HE3_A08
- Vishay
-
1:
₩805.6
-
5,909재고 상태
-
90,000예상 2026-07-16
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-BZX384C15-HE3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
5,909재고 상태
90,000예상 2026-07-16
|
|
|
₩805.6
|
|
|
₩550.2
|
|
|
₩348.1
|
|
|
₩218.9
|
|
|
₩167.2
|
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|
보기
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|
₩191.5
|
|
|
₩142.9
|
|
|
₩95.8
|
|
|
₩92.7
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- BZX384C18-HG3_A08
- Vishay
-
1:
₩805.6
-
16,263재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-BZX384C18-HG3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
16,263재고 상태
|
|
|
₩805.6
|
|
|
₩550.2
|
|
|
₩348.1
|
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₩218.9
|
|
|
₩167.2
|
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보기
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|
₩191.5
|
|
|
₩142.9
|
|
|
₩126.2
|
|
|
₩86.6
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- GDZ27B-HE3_A08
- Vishay
-
1:
₩820.8
-
15,000재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-GDZ27B-HE3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
15,000재고 상태
|
|
|
₩820.8
|
|
|
₩567
|
|
|
₩358.7
|
|
|
₩226.5
|
|
|
₩173.3
|
|
|
보기
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|
₩197.6
|
|
|
₩147.4
|
|
|
₩117
|
|
|
₩95.8
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
- GDZ3V3B-HE3_A08
- Vishay
-
1:
₩820.8
-
11,817재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
78-GDZ3V3B-HE3_A08
신제품
|
Vishay
|
제너 다이오드 ZENER DIODE SOD323
|
|
11,817재고 상태
|
|
|
₩820.8
|
|
|
₩567
|
|
|
₩358.7
|
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|
₩226.5
|
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₩173.3
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보기
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|
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₩197.6
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|
|
₩147.4
|
|
|
₩117
|
|
|
₩89.7
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩7,539.2
-
700재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT140R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
700재고 상태
|
|
|
₩7,539.2
|
|
|
₩5,274.4
|
|
|
₩3,952
|
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|
₩3,511.2
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|
보기
|
|
|
₩2,918.4
|
|
|
₩3,450.4
|
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₩2,918.4
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|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩5,882.4
-
700재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT240R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
700재고 상태
|
|
|
₩5,882.4
|
|
|
₩4,073.6
|
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|
₩3,085.6
|
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₩2,705.6
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|
보기
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₩2,249.6
|
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₩2,660
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₩2,249.6
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|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
:
3,000
|
|
|
|
|
MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
- ST8L65N065DM9
- STMicroelectronics
-
1:
₩10,533.6
-
214재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-ST8L65N065DM9
신제품
|
STMicroelectronics
|
MOSFET N-channel 650 V, 48 mOhm typ., 44 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 HV package
|
|
214재고 상태
|
|
|
₩10,533.6
|
|
|
₩7,052.8
|
|
|
₩7,052.8
|
|
최소: 1
배수: 1
최대: 50
:
3,000
|
|
|
|
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
- IAUCN04S7N027GATMA1
- Infineon Technologies
-
1:
₩3,055.2
-
1,743재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
726-IAUCN04S7N027GAT
신제품
|
Infineon Technologies
|
MOSFET OptiMOS 7 40V in SSO4G 5x6 for IMS Substrates & Legacy Compatibility
|
|
1,743재고 상태
|
|
|
₩3,055.2
|
|
|
₩1,884.8
|
|
|
₩1,237.3
|
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|
₩972.8
|
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₩650.6
|
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|
보기
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|
₩831.4
|
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₩767.6
|
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₩644.5
|
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₩567
|
|
최소: 1
배수: 1
:
5,000
|
|
|
|
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SiC MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
- IMBG75R020M2HXTMA1
- Infineon Technologies
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1:
₩26,828
-
35재고 상태
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신제품
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Mouser 부품 번호
726-IMBG75R020M2HXTM
신제품
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Infineon Technologies
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SiC MOSFET SiC MOSFET, 750V, G2, 20 m
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35재고 상태
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₩26,828
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₩20,428.8
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₩17,024
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₩15,169.6
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₩12,874.4
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최소: 1
배수: 1
:
1,000
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
- IMBG75R040M2HXTMA1
- Infineon Technologies
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1:
₩15,671.2
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144재고 상태
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신제품
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Mouser 부품 번호
726-IMBG75R040M2HXTM
신제품
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Infineon Technologies
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SiC MOSFET CoolSiC MOSFET 750 V G2
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144재고 상태
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₩15,671.2
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₩11,080.8
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₩9,226.4
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₩8,223.2
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₩7,691.2
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최소: 1
배수: 1
:
1,000
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소신호 스위칭 다이오드 1200V, 30A, TO-220-2L FRED
- DPU30I1200PA
- IXYS
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1:
₩8,648.8
-
88재고 상태
-
1,000예상 2026-07-06
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신제품
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Mouser 부품 번호
747-DPU30I1200PA
신제품
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IXYS
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소신호 스위칭 다이오드 1200V, 30A, TO-220-2L FRED
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88재고 상태
1,000예상 2026-07-06
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₩8,648.8
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₩5,669.6
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₩4,210.4
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₩3,526.4
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₩3,070.4
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최소: 1
배수: 1
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