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CSD25304W1015T

Name: Texas Instruments CSD25304W1015T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015T
Price: 2467 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD25304W1015T

제조업체 번호:

CSD25304W1015T

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015

데이터시트:

CSD25304W1015T 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 422

재고:: 422 즉시 배송 가능

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공장 리드 타임:: 6 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(250의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩2,467.4	₩2,467
	₩1,576.8	₩15,768
	₩914	₩91,400
전체 릴(250의 배수로 주문)
	₩914	₩228,500
	₩770.9	₩385,450
	₩695	₩695,000
	₩667.2	₩1,668,000
	₩617.6	₩3,088,000
	₩608.8	₩6,088,000

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

CSD25304W1015

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩1,139

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

CSD25304W1015

설명:

MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DSBGA-6
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	20 V
Id - 연속 드레인 전류:	3 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	92 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	800 mV
Qg - 게이트 전하:	3.3 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	1.5 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	4 ns
시리즈:	CSD25304W1015
팩토리 팩 수량:	250
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	24 ns
표준 턴-온 지연 시간:	6 ns
단위 중량:	1.700 mg

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문서 필터:

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET P-채널 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET P-채널 전력 MOSFET은 울트라 로우 프로파일에서 우수한 열 특성으로 가능한 최소의 윤곽선 내에서 최저의 온 저항과 게이트 전하를 제공하도록 설계되었습니다. 이런 NexFET MOSFET은 극히 낮은 온 저항과 극히 낮은 Qg 및 Qgd, 그리고 1.0mm x 1.5mm의 작은 설치 공간이 특징입니다.