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CSD25304W1015

Name: Texas Instruments CSD25304W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015
Price: 1154 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

595-CSD25304W1015

제조업체 번호:

CSD25304W1015

제조업체:

Texas Instruments

설명:

MOSFET 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

데이터시트:

CSD25304W1015 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 2,655

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수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,154.4	₩1,154
	₩713.4	₩7,134
	₩467.7	₩46,770
	₩356.7	₩178,350
	₩318.2	₩318,200
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩267.9	₩803,700
	₩238.3	₩1,429,800
	₩202.8	₩1,825,200
	₩195.4	₩4,689,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

대체 포장

제조업체 부품 번호:

CSD25304W1015T

포장:

Reel, Cut Tape, MouseReel

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩2,501

최소:

유사 제품

제조업체:

Texas Instruments

제조업체 번호:

CSD25304W1015T

설명:

MOSFET 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015

현재 부품과 비교

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Texas Instruments
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DSBGA-6
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	20 V
Id - 연속 드레인 전류:	3 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	92 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 8 V, 8 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	1.15 V
Qg - 게이트 전하:	4.4 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	750 mW
채널 모드:	Enhancement
상표명:	NexFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Texas Instruments
구성:	Single
하강 시간:	10 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	12 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	4 ns
시리즈:	CSD25304W1015
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 P-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	24 ns
표준 턴-온 지연 시간:	6 ns
단위 중량:	1.400 mg

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ECCN:: EAR99

NexFET™ 전력 MOSFET

Texas Instruments NexFET™ 전력 MOSFET은 동일한 저항에 대해 절반의 게이트 전하를 제공하므로 설계자는 두 배의 주파수로 90%의 전원 공급 효율을 달성할 수 있습니다. 이 NexFET 전력 MOSFET은 수직 전류 흐름을 측면 전력 MOSFET과 결합합니다. 이 장치들은 낮은 온 저항을 제공하고 업계 표준 패키지 외형과 매우 낮은 게이트 전하를 필요로 합니다. Texas Instruments NexFET 전력 MOSFET 기술은 고전력 컴퓨팅, 네트워킹, 서버 시스템 및 전원 공급 장치의 에너지 효율성을 향상시킵니다.