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MASTERGAN4LTR

Name: STMicroelectronics MASTERGAN4LTR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-MASTERGAN4LTR
Price: 8524 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

511-MASTERGAN4LTR

제조업체 번호:

MASTERGAN4LTR

제조업체:

STMicroelectronics

설명:

게이트 드라이버 600 V half-bridge enhancement mode GaN HEMT with high voltage driver

설계 완성하기

데이터시트:

MASTERGAN4LTR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 1,367

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공장 리드 타임:: 26 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩8,524.8	₩8,525
	₩6,541.6	₩65,416
	₩6,038.4	₩150,960
	₩5,490.8	₩549,080
	₩5,224.4	₩1,306,100
	₩5,076.4	₩2,538,200
	₩4,943.2	₩4,943,200
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩4,676.8	₩14,030,400

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	STMicroelectronics
제품 카테고리:	게이트 드라이버
RoHS:
타입:	Half-Bridge
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	QFN-31
출력 수:	4 Output
출력 전류:	12 A
공급 전압 - 최소:	4.75 V
공급 전압 - 최대:	9.5 V
구성:	Non-Inverting
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
시리즈:	MASTERGAN
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
브랜드:	STMicroelectronics
최대 턴-오프 지연 시간:	45 ns
최대 턴-온 지연 시간:	45 ns
습도에 민감:	Yes
작동 공급 전류:	6.5 A
Pd - 전력 발산:	40 mW
제품 유형:	Gate Drivers
전파 지연 - 최대:	70 ns
Rds On - 드레인 소스 저항:	495 mOhms
차단:	Shutdown
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	PMIC - Power Management ICs
기술:	GaN

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

MASTERGAN4LTR 데이터시트 (PDF)

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버

STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고압 드라이버는 하프 브리지 구성에서 게이트 드라이버와 2개의 강화 모드 GaN 트랜지스터를 모두 통합하여 고출력 밀도 전원 공급 장치를 구현했습니다. 통합 전력 GaN는 150mΩ R_DS(ON) 및 650V 드레인 소스 항복 전압이 특징입니다. 통합형 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 사이드를 신속하게 공급할 수 있습니다.