MASTERGAN3TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN3TR
MASTERGAN3TR

제조업체:

설명:
게이트 드라이버 High power density 600 V Half bridge driver with two enhancement mode GaN HEMTs

ECAD 모델:
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재고 상태: 461

재고:
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공장 리드 타임:
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최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™
₩7,460.6 ₩7,461
₩6,336.4 ₩63,364
₩6,059 ₩151,475
₩5,781.6 ₩578,160
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩4,788.8 ₩14,366,400
6,000 견적
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다.

제품 속성 속성 값 속성 선택
STMicroelectronics
제품 카테고리: 게이트 드라이버
RoHS:  
Half-Bridge Drivers
High-Side, Low-Side
SMD/SMT
QFN-31
2 Driver
4 Output
4 A, 6.5 A
4.75 V
9.5 V
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: STMicroelectronics
습도에 민감: Yes
제품 유형: Gate Drivers
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: PMIC - Power Management ICs
기술: GaN
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

MASTERGAN GaN 하프 브리지 고전압 드라이버

STMicroelectronics MASTERGAN GaN 하프 브리지 고압 드라이버는 하프 브리지 구성에서 게이트 드라이버와 2개의 강화 모드 GaN 트랜지스터를 모두 통합하여 고출력 밀도 전원 공급 장치를 구현했습니다. 통합 전력 GaN는 150mΩ RDS(ON) 및 650V 드레인 소스 항복 전압이 특징입니다. 통합형 부트스트랩 다이오드는 임베디드 게이트 드라이버의 하이 사이드를 신속하게 공급할 수 있습니다.

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