MSC035SMA170B4

Microchip Technology
579-MSC035SMA170B4
MSC035SMA170B4

제조업체:

설명:
SiC MOSFET MOSFET SIC 1700 V 35 mOhm TO-247-4
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데이터시트:
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수량 단가
합계
₩61,864 ₩61,864
₩57,039.2 ₩1,711,176
₩49,639.2 ₩5,956,704

제품 속성 속성 값 속성 선택
Microchip
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
68 A
35 mOhms
- 10 V, + 23 V
3.25 V
178 nC
- 55 C
+ 175 C
370 W
Enhancement
브랜드: Microchip Technology
구성: Single
COA(최종 조립 국가): Not Available
COD(확산 공정 국가): Not Available
COO(원산지): PH
하강 시간: 17 ns
포장: Tube
제품 유형: SiC MOSFETS
상승 시간: 7 ns
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Transistors
기술: SiC
표준 턴-오프 지연 시간: 15 ns
표준 턴-온 지연 시간: 7 ns
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiC 쇼트키 배리어 다이오드

Microsemi / Microchip SiC SBD(쇼트키 배리어 다이오드)는 종래의 실리콘 전력 다이오드보다 우수한 동적 성능과 및 열성능을 제공합니다. SiC(탄화규소) 배리어 다이오드는 규소(Si)와 탄소(C)로 구성됩니다. SiC 장치는 규소만으로 제작된 장치에 비해 훨씬 더 큰 절연 파괴 전계 강도, 더 높은 밴드갭 및 더 높은 열전도성을 제공합니다. SiC 쇼트키 다이오드는 순방향 및 역방향 회복 전하가 0인 점이 특징으로, 다이오드 스위칭 손실을 줄여줍니다. 또한, 이 장치는 온도에 독립적인 스위칭을 제공하여 안정적인 고온 성능을 보장합니다.

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