MSC025SMA120S

Microchip Technology
494-MSC025SMA120S
MSC025SMA120S

제조업체:

설명:
SiC MOSFET MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268
개발 도구 선택기 보기

데이터시트:
ECAD 모델:
무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기
추가 정보
Microchip Technology MSC025SMA120S에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 23

재고:
23 즉시 배송 가능
공장 리드 타임:
4 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.
최소: 1   배수: 1
단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩59,947.6 ₩59,948
₩52,925 ₩529,250
₩44,880.4 ₩1,346,412

제품 속성 속성 값 속성 선택
Microchip
제품 카테고리: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D3PAK-3
N-Channel
1 Channel
1.2 kV
89 A
31 mOhms
- 10 V, + 23 V
1.8 V
232 nC
- 55 C
+ 175 C
370 W
Enhancement
브랜드: Microchip Technology
구성: Single
포장: Tube
제품 유형: SiC MOSFETS
팩토리 팩 수량: 30
하위 범주: Transistors
기술: SiC
단위 중량: 6.200 g
제품을 찾음:
유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.
속성 선택됨: 0

이 기능을 활성화하려면 자바스크립트가 필요합니다.

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

탄화 규소(SiC) 반도체

Microchip Technology 탄화 규소(SiC) 반도체는 산업, 의료, 군사/항공우주, 항공 및 통신 시장 부문을 포괄하는 제품에서 시스템 효율성, 더 작은 폼 팩터 및 더 높은 작동 온도를 개선하려는 전력 전자 설계자를 위한 혁신적인 옵션입니다. 마이크로칩의 차세대 SiC MOSFET 및 SiC SBD(SCHOTTKY 배리어 다이오드)는 높은 반복성 UIS(무클램핑 유도 스위칭) 성능으로 설계되었으며, 이의 SiC MOSFET은 약 10J/cm2 ~15J/cm2 의 높은 UIS 성능 및 3 ms~5 ms의 강력한 단락 보호 기능을 유지합니다. Microchip Technology SiC SBD는 낮은 역전류에서 평형 서지 전류, 순방향 전압, 열 저항 및 열 정격 정전용량으로 설계되어 스위칭 손실을 낮춥니다. 또한 SiC MOSFET과 SiC SBD를 함께 결합하여 모듈에 사용할 수 있습니다.

SiC(실리콘 카바이드) MOSFET

Microsemi/Microchip SiC(실리콘 카바이드) MOSFET은 기존 실리콘(Si) 전력 MOSFET보다 뛰어난 동적 및 열 성능을 제공합니다.이 MOSFET은 낮은 정전용량, 낮은 게이트 전하, 빠른 스위칭 속도, 우수한 애벌랜치 견고성이 특징입니다. SiC MOSFET은 175°C의 높은 접합 온도에서 안정적으로 작동할 수 있습니다. 이 MOSFET은 낮은 스위칭 손실로 높은 효율을 제공합니다. SiC MOSFET은 프리휠링 다이오드가 필요하지 않고 시스템 비용을 줄여줍니다. 일반적으로 스마트 그리드 전송 및 분배, 유도 가열 및 용접, 전원 공급 및 배전에 사용됩니다.

예기치 못한 오류가 발생했습니다.


질문이 있으십니까? 도움말 센터 를 방문하십시오.
특정 주문에 대해 문의하시려면 계정 에 로그인하십시오.

기타 다른 문제가 발생할 경우 800-346-6873로 연락하거나 help@mouser.com 으로 이메일을 보내 주십시오.