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IMZC120R007M2HXKSA1

Name: Infineon IMZC120R007M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMZC120R007M2HXK
Price: 54837 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IMZC120R007M2HXK

제조업체 번호:

IMZC120R007M2HXKSA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET with .XT interconnection technology

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IMZC120R007M2HXKSA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 187

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수량	단가	합계
	₩54,837.6	₩54,838
	₩47,639.8	₩476,398
	₩41,259.6	₩4,125,960
	₩34,368.4	₩16,496,832

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	PG-TO247-4-U07
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	1.2 kV
Id - 연속 드레인 전류:	201 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	20 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 10 V, + 25 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	5.1 V
Qg - 게이트 전하:	176 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	711 W
상표명:	CoolSiC
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Enhancement
하강 시간:	33.6 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	60 S
포장:	Tube
제품:	MOSFET
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	21.5 ns
시리즈:	CoolSiC G2
팩토리 팩 수량:	240
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
타입:	SiC MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	76.3 ns
표준 턴-온 지연 시간:	32.4 ns
부품번호 별칭:	IMZC120R007M2H SP006031756

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IMZC120R007M2HXKSA1 데이터시트 (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V G2 실리콘 카바이드 MOSFET은.전력 전자 애플리케이션을 위한 고성능 솔루션을 제공합니다. 이 MOSFET은 뛰어난 전기적 특성을 보여주고 스위칭 손실이 매우 낮아 효율적인 작동을 가능하게 합니다. 1200V G2 MOSFET은 과부하 조건에 맞춰 설계되어 최대 200°C까지에서 작동을 지원하고 최대 2µs동안 단락을 견딜 수 있습니다. 이 소자는 4.2V 벤치마크 게이트 임계 전압 V_GS(th)가 특징이며 정밀한 제어를 보장합니다. CoolSiC MOSFET 1200V G2는 1세대 기술의 강점을 기반으로 하는 세 가지 패키지로 제공되어 더욱 비용 최적화되고 효율적이며 컴팩트하고 설계하기 쉽고 안정적인 시스템을 위한 고급 솔루션을 제공합니다. 2세대는 하드/소프트 스위칭 토폴로지의 주요 성능 수치를 크게 개선하여 모든 일반적인 DC-DC, AC-DC 및 DC-AC 단계 조합에 이상적입니다.