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IMDQ75R050M2HXTMA1

Name: Infineon IMDQ75R050M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IMDQ75R050M2HXTM
Price: 10877 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-IMDQ75R050M2HXTM

제조업체 번호:

IMDQ75R050M2HXTMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IMDQ75R050M2HXTMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 140

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공장 리드 타임:: 53 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩10,877	₩10,877
	₩7,679.6	₩76,796
	₩6,394.8	₩639,480
	₩5,621	₩2,810,500
전체 릴(750의 배수로 주문)
	₩5,066.2	₩3,799,650
	₩5,051.6	₩11,366,100
4,500	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PG-HDSOP-22
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	750 V
Id - 연속 드레인 전류:	36 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	65 mhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	5.6 V
Qg - 게이트 전하:	24 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	148 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	CoolSiC
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	5 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	11 S
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품:	SiC MOSFET
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	6 ns
시리즈:	CoolSiC G2
팩토리 팩 수량:	750
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	13 ns
표준 턴-온 지연 시간:	7 ns
부품번호 별칭:	IMDQ75R050M2H SP006089229

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IMDQ75R050M2HXTMA1 데이터시트 (PDF)

ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 750V G2 실리콘 카바이드 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 750V G2 탄화규소 MOSFET은 유니 폴라게이트 구동용으로 기생 턴온에 대한 견고성 및 신뢰성을 제공하도록 설계되었습니다. 이 MOSFET은 토템 폴, ANPC, 비엔나 정류기, FCC 하드 스위칭 토폴로지에서 우수한 성능 을 제공합니다. MOSFET은 출력 정전용량(Coss)이 감소하여 CYCLO컨버터, CLLC, DAB, LLC 소프트 스위칭 토폴로지에서 더 높은 스위칭 주파수에서 작동할 수 있습니다. CoolSiC™ 750V G2 MOSFET은 향상된 게이트 제어를 통해 최대 78mΩ의 드레인 소스온 저항 및 스위칭 손실이 특징입니다. 이 MOSFET은 자동차 인증과 산업용 인증을 받았습니다. 일반적으로 EV 충전 인프라, 전기 통신, 회로 차단기, 솔리드 스테이트 계전기, 태양광 PV 인버터, HV‑LV DC-DC 컨버터에 사용됩니다.