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AIMDQ75R040M2HXTMA1

Name: Infineon AIMDQ75R040M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-AIMDQ75R040M2HXT
Price: 13198 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

726-AIMDQ75R040M2HXT

제조업체 번호:

AIMDQ75R040M2HXTMA1

제조업체:

Infineon Technologies

설명:

SiC MOSFET CoolSiC Automotive MOSFET 750 V G2 in Q-DPAK

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

AIMDQ75R040M2HXTMA1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 68

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공장 리드 타임:: 53 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩13,198.4	₩13,198
	₩9,825.8	₩98,258
	₩8,190.6	₩819,060
	₩7,183.2	₩3,591,600
전체 릴(750의 배수로 주문)
	₩6,467.8	₩4,850,850
	₩6,453.2	₩14,519,700
9,750	견적

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Infineon
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PG-HDSOP-22
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	750 V
Id - 연속 드레인 전류:	45 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	50 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 7 V, + 23 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	5.6 V
Qg - 게이트 전하:	30 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	182 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	CoolSiC
브랜드:	Infineon Technologies
구성:	Single
하강 시간:	6 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	13 S
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
제품:	SiC MOSFET
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	7 ns
시리즈:	CoolSiC G2
팩토리 팩 수량:	750
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
타입:	Automotive MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	15 ns
표준 턴-온 지연 시간:	8 ns
부품번호 별칭:	AIMDQ75R040M2H SP006089213

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

AIMDQ75R040M2HXTMA1 데이터시트 (PDF)

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 자동차용 750V G2 MOSFET은 트랙션 인버터, 보드 내장형 충전기(OBC) 및 고전압 DC/DC 변환기와 같은 전기차(EV) 애플리케이션의 까다로운 요구 사항을 충족하도록 설계되었습니다. 이 탄화 규소(SiC) MOSFET은 탁월한 효율, 전력 밀도 및 열 성능을 제공하여 차세대 E- 모빌리티 시스템을 가능하게 합니다. 750V의 정격 전압과 2세대 CoolSiC™ 기술을 적용한 이 장치는 기존 실리콘 솔루션 대비 향상된 스위칭 성능 및 손실 감소를 제공합니다. 이 포트폴리오에는 9~78mΩ 사이 범위의 RDS_(on) 값을 포함하여, 설계자가 전도 및 스위칭 성능을 최적화할 수 있는 유연성을 제공합니다.