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IXSH100N65L2KHV

Name: IXYS IXSH100N65L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 747-IXSH100N65L2KHV
Price: 16541 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

747-IXSH100N65L2KHV

제조업체 번호:

IXSH100N65L2KHV

제조업체:

IXYS

설명:

SiC MOSFET 650V 25mohm (100A a. 25C) SiC MOSFET in TO247-4L

라이프사이클:

신제품:

이 제조업체의 새로운 제품입니다.

데이터시트:

IXSH100N65L2KHV 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 550

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공장 리드 타임:: 27 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩16,541.8	₩16,542
	₩12,702	₩127,020
	₩9,241.8	₩924,180
	₩9,227.2	₩4,152,240
	₩7,694.2	₩6,924,780

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	IXYS
제품 카테고리:	SiC MOSFET
RoHS:
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-247-4L
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	650 V
Id - 연속 드레인 전류:	99 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	33 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 5 V, + 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4.5 V
Qg - 게이트 전하:	125 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 175 C
Pd - 전력 발산:	454 W
채널 모드:	Enhancement
브랜드:	IXYS
구성:	Single
하강 시간:	11.7 ns
포장:	Tube
제품:	MOSFETs
제품 유형:	SiC MOSFETS
상승 시간:	26.5 ns
팩토리 팩 수량:	450
하위 범주:	Transistors
기술:	SiC
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	23.2 ns
표준 턴-온 지연 시간:	12.9 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

IXSH100N65L2KHV 데이터시트 (PDF)

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CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET

IXYS IXSxNxL2Kx 실리콘 카바이드 (SiC) MOSFET은 낮은 온 상태 저항 [R_{DS (on)}]과 함께 높은 차단 전압을 제공합니다. 온 상태 저항은 25mΩ ~160 mΩ 이며 연속 드레인 전류(I_D)는 20A ~ 111A 입니다. 이 장치는 낮은 정전 용량으로 고속 스위칭을 제공하고 초고속 진성 바디 다이오드를 갖추고 있습니다. 이 장치는 650V 또는 1,200V 드레인-소스 정격 전압(V_DSS)으로 제공됩니다. IXYS IXSxNxL2Kx SiC(탄화 규소) MOSFET은 세 가지 패키지(TO-263-7L, TOLL-8 및 TO-247-4L)로 제공됩니다.